[發明專利]數據的讀取方法及相關設備

在審

• 申請號: 201810549863.2
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108766497A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 呂玉彬;戚勇
• 申請（專利權）人: 鄭州云海信息技術有限公司
• 主分類號: G11C16/34
• 分類號: G11C16/34
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 李慧引;王寶筠

本申請提供了一種數據的讀取方法及相關設備，數據的讀取方法，用于讀取由多個存儲單元組成的存儲陣列中的數據，其中，存儲單元用于至少存儲2位數據；存儲陣列包括至少2行存儲單元，且每行至少包括2個存儲單元；包括：利用讀數電壓，讀取存儲陣列中的當前行的存儲單元中存儲的數據；其中，當前行為存儲陣列中的任意一行；若判斷出當前行的存儲單元中存儲的數據不能被正常讀取，則確定后一行的存儲單元的偏移電壓，其中，后一行為當前行的下一行；偏移電壓包括所述當前行的存儲單元的讀數電壓對應的狀態下的偏移電壓；利用偏移電壓，對讀數電壓進行調整，得到調整讀數電壓；利用調整讀數電壓，讀取存儲陣列中的當前行的存儲單元中存儲的數據。

技術領域

本申請涉及數據處理技術領域，尤其涉及一種數據的讀取方法及相關設備。

背景技術

NAND存儲器中，用于存儲數據的單元可稱之為存儲單元。并且，在NAND存儲器的實際使用過程中，一般是由多個NAND存儲器中的存儲單元組成的存儲陣列，來完成大量數據的讀寫。

其中，多個存儲單元組成的存儲陣列的結構如圖1所示。存儲陣列中，對同一行(WordLine，WL)的存儲單元分別加寫數電壓，實現對存儲單元的數據的寫入。待某一行的存儲單元寫入數據完成，則對下一行的存儲單元執行數據寫入操作。目前，存儲陣列中，對后一行的存儲單元寫入數據時施加的寫數電壓，會對前一行的存儲單元的寫數電壓造成影響，導致在讀取存儲陣列中存儲的數據時，無法完全正常讀出。

發明內容

基于上述現有技術的不足，本申請提出一種數據的讀取方法及相關設備，以解決現有的存儲陣列寫入數據的過程中，由于后一行的存儲單元寫入數據時施加的寫數電壓，對前一行的存儲單元的寫數電壓造成影響，進而導致到無法正常讀取存儲陣列中存儲的數據的問題。

為解決上述問題，現提出的方案如下：

一種數據的讀取方法，用于讀取由多個第一類型的存儲單元組成的存儲陣列存儲的數據，其中，所述第一類型的存儲單元用于至少存儲2位數據；所述存儲陣列包括至少2行所述存儲單元，且每行至少包括2個所述存儲單元；所述方法包括：

利用讀數電壓，讀取所述存儲陣列中的當前行的存儲單元中存儲的數據；其中，所述當前行為所述存儲陣列中的任意一行；

若判斷出所述當前行的存儲單元中存儲的數據不能被正常讀取，則確定后一行的存儲單元的偏移電壓，其中，所述后一行為所述當前行的下一行；所述偏移電壓包括所述當前行的存儲單元的讀數電壓對應的狀態下的偏移電壓；

利用所述偏移電壓，對所述讀數電壓進行調整，得到調整讀數電壓；

利用所述調整讀數電壓，讀取所述存儲陣列中的當前行的存儲單元中存儲的數據。

可選地，所述確定所述后一行的存儲單元的偏移電壓，包括：

從預先構建的偏移電壓表中，依據所述當前行的存儲單元的讀數電壓對應的狀態，獲取所述后一行的存儲單元的偏移電壓。

可選地，所述利用所述偏移電壓，對所述讀數電壓進行調整，得到調整讀數電壓，包括：

利用在存儲單元的讀取電壓的基礎上，累計所述存儲單元的讀數電壓對應的狀態下的偏移電壓的方式，計算得到所述當前行的存儲單元的讀數電壓對應的狀態下的調整讀數電壓。

可選地，所述利用所述調整讀數電壓，讀取所述存儲陣列中的當前行的存儲單元中存儲的數據，包括：

利用所述當前行的存儲單元的讀數電壓對應的每一種狀態下的調整讀數電壓，讀取所述存儲陣列中的當前行的存儲單元存儲的屬于所述狀態的數據。