[發(fā)明專利]在基于粉末的增材制造中增長壓縮室以在增長部件上減輕粉末負載的方法和設備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810549610.5
• 申請日: 2018-05-31
• 公開（公告）號: CN108971486B
• 公開（公告）日: 2021-04-09
• 發(fā)明（設計）人: D.M.科斯梅爾
• 申請（專利權(quán)）人: 通用電氣公司
• 主分類號: B22F3/105
• 分類號: B22F3/105;B33Y10/00;B33Y30/00
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 肖日松;劉林華

1.一種用于制造物體的方法，包括：

（a）在構(gòu)建平臺之上的構(gòu)建區(qū)域中照射粉末層，以形成熔化區(qū)域；

（b）在所述構(gòu)建區(qū)域上方提供后續(xù)粉末層；和

（c）重復步驟（a）和（b）直到管、至少一個室和所述物體的至少一部分在所述構(gòu)建區(qū)域中形成，其中所述室封裝至少部分未熔化粉末區(qū)域并且所述管從所述構(gòu)建平臺內(nèi)的通道延伸到所述室；和

（d）通過所述管和所述通道從所述室內(nèi)移除未熔化粉末。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在步驟（d）之后重復步驟（a）和（b）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述室是可壓縮的。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中步驟（d）包括打開閥，所述閥將未熔化粉末保持在所述通道內(nèi)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中步驟（d）包括通過真空從所述通道移除未熔化粉末。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中通過重復步驟（a）和（b），在至少所述管中形成桿，所述桿在所述管內(nèi)延伸，其中步驟（d）包括移除在所述管內(nèi)延伸的桿。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述物體包括壁，所述壁封裝所述物體內(nèi)的未熔化粉末區(qū)域，并且其中所述室定位在所述物體內(nèi)的未熔化粉末區(qū)域內(nèi)。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中在所述壁封裝所述物體內(nèi)的未熔化粉末區(qū)域之后執(zhí)行步驟（d）。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中所述物體包括水平頂板，所述水平頂板連接到至少部分地封裝所述未熔化粉末區(qū)域的所述壁。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述至少一個室包括形成于不同高度的多個室。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟（d）包括在未熔化粉末水平高度超過每一個室的相應高度之后從所述室移除未熔化粉末。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中步驟（d）包括在所述室上方形成水平頂板之后從每一個室移除未熔化粉末。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中連接到所述多個室的第一室的第一管位于連接到第二室的第二管的內(nèi)部。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述第一管通過所述第二室。

15.一種構(gòu)造用于實施根據(jù)權(quán)利要求1到14中任一項所述的方法的用于由金屬粉末制造物體的設備，包括：

構(gòu)建單元，所述構(gòu)建單元包括粉末遞送單元、重涂臂、和能量束引導裝置；

基板，所述基板具有穿過其中的通道；

閥，所述閥聯(lián)接到所述通道，所述閥被配置成選擇性地打開和關(guān)閉所述通道；和

桿，所述桿穿過所述通道延伸到構(gòu)建板的頂部表面，所述桿能夠在所述通道內(nèi)縮回。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設備，其中所述通道填充有未熔化粉末。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設備，還包括聯(lián)接到所述通道的真空源。

18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的設備，其中所述構(gòu)建單元被配置成在所述基板之上選擇性地照射粉末以形成管和室，所述管與所述通道連通，所述室封裝與所述管連通的未熔化粉末的區(qū)域。

19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的設備，其中所述閥被配置成在所述構(gòu)建單元的操作期間打開，以允許未熔化粉末通過所述管和所述通道離開所述室。