[發明專利]一種多晶硅鑄錠用高效Si3N4粉在審
| 申請號： | 201810548669.2 | 申請日： | 2018-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN109750351A | 公開（公告）日： | 2019-05-14 |
| 發明（設計）人： | 吳誠;劉久明;付亞杰 | 申請（專利權）人： | 河北高富氮化硅材料有限公司 |
| 主分類號： | C30B28/06 | 分類號： | C30B28/06;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 054300 河北省邢*** | 國省代碼： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 多晶硅鑄錠 光伏 電池轉換效率 晶粒 氮化硅粉 多晶硅片 混合物 脫模劑 粒徑 位錯 制備 | ||
【權利要求書】：
1.本發明公開了一種多晶硅鑄錠用高效Si3N4粉，其特征在于該高效Si3N4粉為光伏級Si3N4粉與少量Si2N2O的混合物。
2.根據權利要求1，一種多晶硅鑄錠用高效Si3N4粉，其特征在于其中的Si3N4粉為光伏級，具體為純度不低于99.99%，金屬雜質總含量不高于25ppm，B、P單項不高于3ppm，粒徑為1.0~2.5μm。
3.根據權利要求1，一種多晶硅鑄錠用高效Si3N4粉，其特征在于Si2N2O在Si3N4與Si2N2O混合物總質量中的占比為1%~8%，粒徑為0.01μm～10μm。
4.根據權利要求1，一種多晶硅鑄錠用高效Si3N4粉，其特征在于該粉體作為多晶硅鑄錠時坩堝表面的脫模劑，有利于獲得晶粒大小均勻、缺陷少、位錯密度低、電池轉換效率高的多晶硅片。
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