[發(fā)明專利]一種二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810548515.3
• 申請(qǐng)日: 2018-05-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN108919398A
• 公開(kāi)（公告）日: 2018-11-30
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 程鑫彬;鄧曉;李同保;劉杰;朱立
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 同濟(jì)大學(xué)
• 主分類號(hào): G02B5/18
• 分類號(hào): G02B5/18;G03F7/20
• 代理公司: 上海科盛知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225
• 代理人: 翁惠瑜

1.一種二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，包括以下步驟：

(1)基于原子光刻技術(shù)在基板上進(jìn)行第一次原子光刻，得到一維原子光刻沉積光柵樣板；

(2)利用光闌的限位作用，保持會(huì)聚光指向與所述光柵樣板的平面法向量指向不變，將光柵樣板旋轉(zhuǎn)角度θ，并保證金屬原子束待沉積區(qū)域與已沉積區(qū)域存在重合部分，且光柵樣板表面與沉積用反射鏡鏡面面面垂直，調(diào)節(jié)所述反射鏡的方位使其法向量方向與入射會(huì)聚光的指向平行；

(3)調(diào)整會(huì)聚光形成的駐波場(chǎng)空間高度使其與金屬原子束待沉積區(qū)域存在重疊部分，在所述沉積光柵樣板上進(jìn)行第二次原子光刻，形成二維原子光柵菱形柵格結(jié)構(gòu)，且所述菱形的其中一個(gè)內(nèi)角與所述旋轉(zhuǎn)角度θ相等。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述原子光刻中，在真空環(huán)境下將金屬材料加熱至升華狀態(tài)并以泄流方式引出金屬原子束。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述金屬原子束元素為鉻、鐵、鈉、鋁、鐿中任一種。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述基板為硅或磷化銦。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述旋轉(zhuǎn)角度θ的范圍為：0度θ≤90度。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，兩次所述原子光刻的過(guò)程中，金屬原子束爐溫、會(huì)聚光總功率、會(huì)聚光頻率失諧量、會(huì)聚光與基板的切光比例、原子束橫向冷卻效果和沉積時(shí)間均保持一致。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的二維原子光刻?hào)鸥窠Y(jié)構(gòu)制備方法，其特征在于，所述會(huì)聚光與基板的切光比例為10％～50％。