[發(fā)明專利]一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810546875.X | 申請日： | 2018-05-31 |
| 公開（公告）號： | CN108385159A | 公開（公告）日： | 2018-08-10 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 李小剛 | 申請（專利權(quán)）人： | 峨眉山市元素新材料科技有限公司 |
| 主分類號： | C30B15/02 | 分類號： | C30B15/02;C30B29/06 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 51230 | 代理人： | 白小明 |
| 地址： | 614100 四川省樂山*** | 國省代碼： | 四川;51 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 單晶爐 加樣 爐室 坩堝 加樣裝置 密封閘門 內(nèi)部法蘭 外部密封 導(dǎo)流筒 導(dǎo)向管 側(cè)面 法蘭 石英 側(cè)面設(shè)置 速度降低 影響單晶 真空加料 加料 直拉 外部 | ||
1.一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，包括爐室(3)和直拉室(1)，爐室(3)中設(shè)置有坩堝(4)，坩堝(4)上方設(shè)置有導(dǎo)流筒(2)，其特征在于：所述爐室(3)側(cè)面設(shè)置有密封閘門(8)，密封閘門(8)的外部和內(nèi)部分別設(shè)置有外部密封法蘭(9)和內(nèi)部法蘭(7)，所述內(nèi)部法蘭(7)上連接有石英導(dǎo)向管(6)，石英導(dǎo)向管(6)的末端位于坩堝(4)的上沿與導(dǎo)流筒(2)之間；外部密封法蘭(9)上連接有真空加料箱(11)。
2.按照權(quán)利要求1所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述坩堝(4)的一側(cè)設(shè)置有熔料腔(15)，熔料腔(15)的底部與坩堝(4)內(nèi)部連通，所述石英導(dǎo)向管(6)的末端位于熔料腔(15)的上方。
3.按照權(quán)利要求1所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述密封閘門(8)為電磁閘門。
4.按照權(quán)利要求1所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述真空加料箱(11)的底面設(shè)置為一個(gè)斜面(10)，外部密封法蘭(9)位于斜面(10)的底部。
5.按照權(quán)利要求1所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述真空加料箱(11)的上部設(shè)置有惰性氣體管(13)和真空管(12)。
6.按照權(quán)利要求1或5所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述真空加料箱(11)的頂部設(shè)置有密封門(14)。
7.按照權(quán)利要求6所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述密封門(14)的上方設(shè)置有加料器。
8.按照權(quán)利要求7所述的一種側(cè)面加樣的單晶爐加樣裝置，其特征在于：所述加料器包括外殼(18)，外殼(18)中設(shè)置有料斗(16)，外殼(18)和料斗(16)底部設(shè)置有位置相互匹配的開口，所述開口位于密封門(14)上方，所述料斗(16)底部的開口上設(shè)置有料塞(17)，所述料塞(17)下部尺寸大于上部尺寸，料塞(17)的上部設(shè)置有拉繩。
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