[發明專利]橫向擴散金屬氧化物半導體器件及其制造方法

在審

• 申請號: 201810545876.2
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN108807543A
• 公開（公告）日: 2018-11-13
• 發明（設計）人: 游步東;喻慧;王猛;杜益成;彭川;宋洵奕
• 申請（專利權）人: 矽力杰半導體技術（杭州）有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于包括：

基層，

位于所述基層中且具有第一摻雜類型的減小表面場效應層，

位于所述基層中且位于所述減小表面場效應層之上的漂移區，所述漂移區為第二摻雜類型，

位于所述漂移區中的漏極區，所述漏極區為第二摻雜類型，

其中，所述減小表面場效應層與所述漂移區之間的第一間距大于零。

2.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括：

位于所述基層中且位于所述減小表面場效應層之上的體區，所述體區為第一摻雜類型，

位于所述體區中的源極區，所述源極區為第二摻雜類型，

所述減小表面場效應層與所述體區之間的第二間距小于或等于所述第一間距。

3.根據權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，位于所述體區下方的所述減小表面場效應層與所述基層的第一表面之間的第三間距小于位于所述漂移區下方的所述減小表面場效應層與所述基層的第一表面之間的第四間距。

4.根據權利要求3所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述減小表面場效應層包括埋層在所述基層中且彼此相接觸的第一埋層和第二埋層，所述第一埋層的至少部分位于所述體區下方，所述第二埋層的至少部分位于所述漂移區下方，

所述第一埋層與所述基層的第一表面之間的間距為所述第三間距，所述第二埋層與所述基層的第一表面之間的間距為所述第四間距。

5.根據權利要求1所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括位于所述基層中，且位于所述減小表面場效層下方的隔離層，所述隔離層將所述減小表面場效應層與所述基層隔離。

6.根據權利要求5所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述隔離層為第二摻雜類型的第三埋層。

7.根據權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括：

位于所述基層的第一表面且與所述源極區相鄰的第一介質層，

位于所述第一介質層上的第一導體。

8.根據權利要求7所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括位于所述第一介質層和漏極區之間的耐壓層。

9.根據權利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第一導體位于所述第一介質層和部分耐壓層上。

10.根據權利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括第二導體，所述第二導體的至少部分位于所述耐壓層上，且所述第一導體和第二導體空間隔離。

11.根據權利要求10所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述第二導體和第一導體中的一個導體層的一部分覆蓋在所述第一介質層和耐壓層的交界處上方。

12.根據權利要求10所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，還包括至少一個第三導體，各個所述第三導體均位于所述耐壓層上，且彼此空間隔離，且與所述第二導體相鄰的一個所述第三導體與所述第二導體空間隔離。

13.根據權利要求8所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，所述耐壓層為第二介質層，所述第二介質層的厚度大于所述第一介質層的厚度。

14.根據權利要求2所述的橫向擴散金屬氧化物半導體器件，其特征在于，所述基層包括第一摻雜類型的硅襯底和位于所述硅襯底中的高壓阱區，所述高壓阱區為第二摻雜類型，

所述體區和漂移區均位于所述高壓阱區中。