[發(fā)明專利]一種自動進料的方法、裝置及系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810543958.3
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108615695B
• 公開（公告）日: 2023-10-03
• 發(fā)明（設計）人: 紀幸辰
• 申請（專利權）人: 深圳市硅光半導體科技有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 深圳市深聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44357
• 代理人: 楊靜

本發(fā)明提出了一種自動進料的方法，包括：S1.啟動要求輸送襯底的命令；S2.接收機械手傳送過來的多個襯底，并依次置于低壓化學氣相沉積設備腔中；S3.根據襯底已足量的信息，發(fā)送停止輸送襯底的指令。本發(fā)明還公開了一種自動進料的裝置和系統(tǒng)。本發(fā)明的技術方案，通過自動輸送生成含硅薄膜的襯底進入低壓化學氣相沉積設備腔，以方便進行化學反應，解放了人力，有利于實現了自動化生產。

技術領域

本發(fā)明涉及一種半導體領域，特別涉及一種自動進料的方法、裝置及系統(tǒng)。

背景技術

含硅薄膜，如：氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、氮化硅薄膜等材料具備許多優(yōu)異的性能，如高熔點、高硬度、強穩(wěn)定性、低膨脹系數、良導熱性、強抗熱震性及優(yōu)良的光學性能等，其中，氮化硅塊材料及其薄膜能廣泛應用于光電子、微電子、機械加工、化學工業(yè)、太陽能電池、航空航天及集成電路等行業(yè)。

隨著薄膜應用的普及，薄膜制備的技術也成為了高新加工技術中的重要部分。目前，比較普及的含硅薄膜的制備方法有等離子體化學氣相沉積(PECVD)和低壓化學氣相沉積(LPCVD)法兩種方法，其中LPCVD法生產的膜密度更高、純度更高、物理化學特性更優(yōu)良。

如何實現含硅薄膜的制備的批量進料，以利于自動化生產？成為擺在人們面前的一道課題。

發(fā)明內容

為了解決以上的問題，本發(fā)明能提供一種自動進料的方法、裝置及系統(tǒng)。

本發(fā)明的技術方案是這樣實現的：

本發(fā)明公開了一種自動進料的方法，用于含硅薄膜的制備，包括：

S1.啟動要求輸送襯底的命令；

S2.接收機械手傳送過來的多個襯底，并依次置于低壓化學氣相沉積設備腔中；

S3.根據襯底已足量的信息，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的步驟S3，具體是：

當計數裝置計算到的所有襯底的數目總值與預設數目總值相等時，確認襯底已足量，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的步驟S3，具體是：

當稱重裝置計算到的所有襯底的重量數字總值與預設重量數字總值相等時，確認襯底已足量，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的襯底選自P型、N型摻雜單晶硅襯底或者氧化硅中的至少一種。

本發(fā)明公開了一種自動進料的裝置，用于超厚氮化硅膜的制備，包括：

啟動命令單元，用于啟動要求輸送襯底的命令；

接收單元，用于接收機械手傳送過來的多個襯底，并依次置于低壓化學氣相沉積設備腔中；

停止單元，用于根據襯底已足量的信息，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的停止單元，具體是：

當計數裝置計算到的所有襯底的數目總值與預設數目總值相等時，確認襯底已足量，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的停止單元，具體是：

當稱重裝置計算到的所有襯底的重量數字總值與預設重量數字總值相等時，確認襯底已足量，發(fā)送停止輸送襯底的指令。

進一步地，所述的襯底選自P型、N型摻雜單晶硅襯底或者氧化硅中的至少一種。

本發(fā)明公開了一種自動進料的系統(tǒng)，包括：機械手、低壓化學氣相沉積設備腔、控制器、檢測設備、驅動電機，所述的控制器能控制所述的驅動電機帶動所述的機械手運轉，所述的機械手輸送襯底至所述的低壓化學氣相沉積設備腔，所述的檢測設備檢測所述的襯底是否足量，所述的控制器具有上述的裝置。