[發(fā)明專利]內(nèi)置自測試功能漏電保護電路及其檢測方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810543832.6
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108736438B
• 公開（公告）日: 2019-09-20
• 發(fā)明（設計）人: 劉軍;宋夏冰
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江朗威微系統(tǒng)有限公司
• 主分類號: H02H3/32
• 分類號: H02H3/32;G01R31/28
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏;韓斐

1.一種內(nèi)置自測試功能漏電保護電路，與電流感應線圈連接，其特征在于：包括直流偏置電路、差分放大器、差分轉(zhuǎn)單端輸出運放、第一比較器、第二比較器、第三比較器、延時電路、計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路、正常/測試模式選擇電路、計數(shù)器、OSC振蕩器、快速充放控制電路、數(shù)字邏輯控制電路、電源管理電路和報警驅(qū)動電路，所述直流偏置電路的輸入端與電流感應線圈連接，所述直流偏置電路的輸出端通過差分放大器與差分轉(zhuǎn)單端輸出運放的輸入端連接，差分轉(zhuǎn)單端輸出運放的輸出端與第一比較器的第一比較端連接，第一比較器的第二比較端與電源管理電路的基準電壓輸出端連接，所述第一比較器的輸出端與延時電路連接，延時電路的輸出端與第二比較器的第一比較端連接，第二比較器的第二比較端與電源管理電路的基準輸出端連接，所述延時電路與快速充放控制電路電連接，第一比較器和第二比較器與電源管理電路的輸出端連接，第二比較器的輸出端與計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路電連接，第二比較器的輸出端還與正常/測試模式選擇電路電連接，計數(shù)器使能端與計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路電連接，數(shù)字邏輯控制電路的輸出端通過OSC振蕩器與計數(shù)器的輸入端電連接，計數(shù)器的輸出端與報警驅(qū)動電路電連接，快速充放控制電路的輸出端連接第三比較器的第一輸入端，第三比較器的輸出端與報警驅(qū)動電路電連接，第三比較器的第二輸入端為TEST端，正常/測試模式選擇電路與報警驅(qū)動電路的使能端電連接；差分轉(zhuǎn)單端輸出運放的輸出端為OA端，延時電路的輸出端的輸出端為DLY端，報警驅(qū)動電路的輸出端為OS端，所述TEST端、OA端、DLY端和OS端分別通過各自的外接電容接地。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置自測試功能漏電保護電路，其特征在于：所述計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路為傳輸門電路結(jié)構(gòu)，計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路的DLY_OUT端口接收第二比較器的輸出信號，計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路的Cnt_en端口與計數(shù)器使能端連接，Cnt_en端口輸出低電平0時，計數(shù)器處于復位狀態(tài)，計數(shù)/非計數(shù)模式選擇電路的控制端口sw_con和控制端口sw_conb輸入信號相反，所述控制端口sw_con以及控制端口sw_conb分別與正常/測試模式選擇電路電連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的內(nèi)置自測試功能漏電保護電路，其特征在于：所述正常/測試模式選擇電路包括鎖存電路、調(diào)理電路和觸發(fā)電路，所述鎖存電路的使能端與第三比較器的輸出端連接，鎖存電路的時鐘端接收OSC振蕩器電路輸出的時鐘信號，鎖存電路的輸出端通過調(diào)理電路與觸發(fā)電路的第一輸入端連接，觸發(fā)電路的第二輸入端為復位信號端，所述觸發(fā)電路的第一、第二輸出端輸出一對相反的控制信號，所述觸發(fā)電路的第一輸出端與控制端口sw_con連接，所述觸發(fā)電路的第二輸出端與控制端口sw_conb連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的內(nèi)置自測試功能漏電保護電路，其特征在于：所述快速充放控制電路包括場效應管NMOS1、場效應管NMOS2、場效應管NMOS3、場效應管NMOS4、場效應管PMOS1、電容C1、電阻R1和電阻R2，所述場效應管PMOS1的柵極以及場效應管NMOS1的柵極均接收由延遲電路處發(fā)出的充放電控制信號，電源管理電路輸出電流依次通過串聯(lián)的場效應管PMOS1、電阻R1以及場效應管NMOS1接地，電阻R2的第一端與場效應管PMOS1的源極連接，電阻R2的第二端與第三比較器的輸入端連接，電阻R2的第二端通過電容C1接地，場效應管NMOS2的柵極接收快速充電使能信號，場效應管NMOS3的柵極接收快速放電使能信號，所述場效應管NMOS2的漏極與電阻R2的第一端連接，所述場效應管NMOS2的源極與電阻R2的第二端連接，所述場效應管NMOS3的漏極與電阻R2的第二端連接，所述場效應管NMOS3的源極接地。