[發明專利]一種自動出料的方法、裝置及系統在審
| 申請號: | 201810543584.5 | 申請日: | 2018-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN108677163A | 公開(公告)日: | 2018-10-19 |
| 發明(設計)人: | 紀幸辰 | 申請(專利權)人: | 深圳市硅光半導體科技有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/34 | 分類號: | C23C16/34;C23C16/44;C23C16/52 |
| 代理公司: | 深圳市深聯知識產權代理事務所(普通合伙) 44357 | 代理人: | 楊靜 |
| 地址: | 518040 廣東省深圳市福田區沙頭*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 含硅薄膜 自動出料 反應爐 抓取 裝置及系統 機械手 溫度一致 預設位置 出料口 預設 制備 取出 自動化 指令 生產 | ||
本發明提出了一種自動出料的方法,用于含硅薄膜的制備,包括:S1.抓取反應爐中的溫度值;S2.至少根據所述的溫度值與預設溫度一致的指令,開啟反應爐的出料口;S3.啟動機械手,依次抓取含硅薄膜的成品,并投放在預設位置。本發明還公開了一種自動出料的裝置和系統。本發明的技術方案,自動從反應爐中取出含硅薄膜成品,解放了人力,便于自動化及無人生產。
技術領域
本發明涉及一種半導體領域,特別涉及一種自動出料的方法、裝置及系統。
背景技術
含硅薄膜,包括:氧化硅薄膜、碳化硅薄膜、氮化硅薄膜等材料具備許多優異的性能,如高熔點、高硬度、強穩定性、低膨脹系數、良導熱性、強抗熱震性及優良的光學性能等,其中,氮化硅塊材料及其薄膜能廣泛應用于光電子、微電子、機械加工、化學工業、太陽能電池、航空航天及集成電路等行業。
隨著薄膜應用的普及,薄膜制備的技術也成為了高新加工技術中的重要部分。目前,比較普及的氮化硅薄膜的制備方法有等離子體化學氣相沉積(PECVD)和低壓化學氣相沉積(LPCVD)法兩種方法,其中LPCVD法生產的膜密度更高、純度更高、物理化學特性更優良。
如何實現含硅薄膜的批量出料,以利于自動化生產?成為擺在人們面前的一道課題。
發明內容
為了解決以上的問題,本發明能提供一種自動出料的方法、裝置及系統。
本發明的技術方案是這樣實現的:
本發明公開了一種自動出料的方法,用于含硅薄膜的制備,包括:
S1.抓取反應爐中的溫度值;
S2.至少根據所述的溫度值與預設溫度一致的指令,開啟反應爐的出料口;
S3.啟動機械手,依次抓取含硅薄膜的成品,并投放在預設位置。
進一步地,所述的步驟S3具體是:
S3.啟動機械手,依次抓取含硅薄膜的成品,并投放在容納盒中。
進一步地,所述的成品為襯底及所述的襯底上的含硅薄膜的組件,所述的組件的厚度:400nm~780nm。
進一步地,所述的預設溫度為常溫。
本發明公開了一種自動出料的裝置,用于含硅薄膜的制備,包括:
溫度值抓取單元,用于抓取反應爐中的溫度值;
出料口開啟單元,用于至少根據所述的溫度值與預設溫度一致的指令,開啟反應爐的出料口;
機械手啟動單元,用于啟動機械手,依次抓取含硅薄膜的成品,并投放在預設位置。
進一步地,所述的機械手啟動單元具體是:
用于啟動機械手,依次抓取含硅薄膜的成品,并投放在容納盒中。
進一步地,所述的裝置還包括:
所述的成品為襯底及所述的襯底上的含硅薄膜的組件,所述的組件的厚度:400nm~780nm。
進一步地,所述的預設溫度為常溫。
本發明公開了一種自動出料的系統,包括:溫度傳感器、反應爐、控制器、機械手,所述的溫度傳感器及機械手均與所述的控制器相連接,所述的溫度傳感器用于檢測反應爐中的溫度,所述的控制器能控制所述的機械手抓取所述的反應爐中的含硅薄膜,所述的控制器具有上述的裝置。
進一步地,所述的系統還包括:傳送帶、驅動電機,所述的驅動電機驅動所述的傳送帶運轉,所述的機械手抓取所述的含硅薄膜于傳送帶上,輸送至預設位置。
實施本發明的一種自動出料的方法、裝置及系統,具有以下有益的技術效果:
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





