[發明專利]壞點庫的建立方法和建立系統

在審

• 申請號: 201810542700.1
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN108829948A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 陳穎;韋亞一;粟雅娟
• 申請（專利權）人: 中國科學院微電子研究所;中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: G06F17/50
• 分類號: G06F17/50
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 韓建偉;霍文娟

1.一種壞點庫的建立方法，其特征在于，所述建立方法包括：

步驟S1，規則收集，所述規則包括版圖設計規則；

步驟S2，根據收集到的所述規則，生成隨機版圖；

步驟S3，在所述隨機版圖中選取版圖區域，并對所述版圖區域進行光學仿真，得到限制工藝窗口的第一壞點位置，將得到的所述第一壞點位置定義為基本壞點；以及

步驟S4，在所述隨機版圖中找到與所述基本壞點具有相同特征參數的第二壞點位置，所述第二壞點位置的集合為壞點庫。

2.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，所述特征參數包括光學投影參數和幾何參數，所述步驟S4包括：

在所述隨機版圖中找到與所述基本壞點具有相同的所述光學投影參數的多個所述第二壞點位置，得到第一預壞點庫；

在所述隨機版圖中找到與所述基本壞點具有相同的所述幾何參數的多個所述第二壞點位置，得到第二預壞點庫；以及

對所述第一預壞點庫和所述第二預壞點庫取交集，得到所述壞點庫。

3.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，在所述步驟S3和所述步驟S4之間，所述建立方法還包括：

提取所述基本壞點的所述特征參數。

4.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，所述規則還包括雙重投影規則。

5.根據權利要求1或4所述的建立方法，其特征在于，所述光學仿真包括一次光學仿真和二次光學仿真，所述步驟S3包括：

在所述隨機版圖中選取所述版圖區域；

對所述版圖區域進行所述一次光學仿真，得到限制所述工藝窗口的疑似壞點位置；

調整仿真參數，采用調整后的所述仿真參數對所述疑似壞點位置進行所述二次光學仿真，當所述疑似壞點位置限制所述工藝窗口，則確定所疑似壞點位置為所述基本壞點。

6.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，所述版圖區域包括端對端圖形區域、邊對邊圖形區域、端對邊圖形區域、L型圖形和C型圖形。

7.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，所述光學仿真包括光源掩模協同優化仿真。

8.根據權利要求2所述的建立方法，其特征在于，所述光學投影參數包括最大光強、最小光強以及最大光強變化率。

9.根據權利要求2所述的建立方法，其特征在于，所述幾何參數包括端對端圖形區域的最小間距、L型圖形的短邊長度以及邊對邊圖形區域的最小間距。

10.根據權利要求1所述的建立方法，其特征在于，在所述步驟S4之后，所述建立方法還包括：

對所述壞點庫中的所述第二壞點位置進行所述光學仿真，驗證所述第二壞點位置是否是限制所述工藝窗口的位置，若否，則將所述第二壞點位置移出所述壞點庫。

11.一種壞點庫的建立系統，其特征在于，所述建立系統包括：

規則收集單元(10)，用于收集規則，所述規則包括版圖設計規則；

隨機版圖生成單元(20)，與所述規則收集單元(10)電連接，所述隨機版圖生成單元(20)用于根據收集到的所述規則，生成隨機版圖；

光學仿真單元(30)，與所述隨機版圖生成單元(20)電連接，所述光學仿真單元(30)用于在所述隨機版圖中選取版圖區域，并對所述版圖區域進行光學仿真，到限制工藝窗口的第一壞點位置，將得到的所述第一壞點位置定義為基本壞點；以及

壞點庫建立單元(40)，與所述光學仿真單元(30)電連接，所述壞點庫建立單元(40)用于在所述隨機版圖中找到與所述基本壞點具有相同特征參數的第二壞點位置，所述第二壞點位置的集合為壞點庫。