[發明專利]顯示面板、顯示裝置和像素驅動方法有效
| 申請號: | 201810542635.2 | 申請日: | 2018-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN108735790B | 公開(公告)日: | 2020-11-10 |
| 發明(設計)人: | 張春鵬 | 申請(專利權)人: | 武漢天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09G3/3233 |
| 代理公司: | 北京晟睿智杰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 11603 | 代理人: | 于淼 |
| 地址: | 430074 湖北省武*** | 國省代碼: | 湖北;42 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 面板 顯示裝置 像素 驅動 方法 | ||
1.一種顯示面板,其特征在于,包括:
顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區;
襯底基板;
多個子像素單元,位于所述襯底基板一側,且位于所述顯示區;
指紋識別單元,位于所述子像素單元遠離出光面的一側,所述指紋識別單元在所述襯底基板的垂直投影位于所述顯示區內;
所述非顯示區包括綁定區;
所述顯示區還至少包括第一像素區和第二像素區,所述第一像素區和所述第二像素區沿第一方向排布,所述第二像素區位于所述第一像素區和所述綁定區之間;
所述第一像素區包括多個第一子像素單元,所述第二像素區包括多個第二子像素單元;
所述第一子像素單元的像素開口面積大于所述第二子像素單元的像素開口面積;
所述子像素單元包括像素驅動電路和有機發光器件;
所述有機發光器件包括陽極和陰極;
所述像素驅動電路至少包括第一電源電壓端和連接于所述第一電源電壓端和所述陽極之間的第一開關晶體管和驅動晶體管,且所述第一開關晶體管與所述驅動晶體管串聯,所述第一開關晶體管的柵極連接發光控制信號端,所述驅動晶體管的柵極連接存儲電容;
所述第一子像素單元中所述像素驅動電路中所述第一電源電壓端到所述陽極之間的電阻為R1,所述第二子像素中所述像素驅動電路中所述第一電源電壓端到所述陽極之間的電阻為R2;其中,0<R1<R2。
2.根據權利要求1所述的顯示面板,其特征在于,
所述顯示區還至少包括第三像素區,所述第一像素區、所述第二像素區和所述第三像素區沿第一方向排布,所述第三像素區位于所述第二像素區和所述綁定區之間;
所述第三像素區包括多個第三子像素單元;
所述第二子像素單元的像素開口面積小于所述第一子像素單元的像素開口面積,且大于所述第三子像素單元的像素開口面積;
所述第三子像素單元中所述像素驅動電路中所述第一電源電壓端到所述陽極之間的電阻為R3;其中,0<R1<R2<R3。
3.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述像素驅動電路還包括連接于所述第一電源電壓端、所述第一開關晶體管、所述驅動晶體管和所述陽極之間的電源線。
4.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的線寬大于所述第一子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的線寬,且小于所述第三子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的線寬。
5.根據權利要求3所述的顯示面板,其特征在于,
所述第二子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的長度大于所述第一子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的長度,且小于所述第三子像素單元中所述像素驅動電路中所述電源線的長度。
6.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述像素驅動電路中所述第一開關晶體管的漏極通過第一過孔連接所述陽極;
所述第二子像素單元中所述第一過孔的孔徑小于所述第一子像素單元中所述第一過孔的孔徑,且大于所述第三子像素單元中所述第一過孔的孔徑。
7.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述像素驅動電路還包括連接于所述第一電源電壓端和所述驅動晶體管之間的第二開關晶體管,所述第二開關晶體管的柵極連接所述發光控制信號端,所述第二開關晶體管的源極通過第二過孔連接所述第一電源電壓端;
所述第二子像素單元中所述第二過孔的孔徑小于所述第一子像素單元中所述第二過孔的孔徑,且大于所述第三子像素單元中所述第二過孔的孔徑。
8.根據權利要求2所述的顯示面板,其特征在于,
所述子像素單元中所述有機發光器件包括陽極、有機發光層和陰極,所述第二子像素單元中所述陽極的面積小于所述第一子像素單元中所述陽極的面積,且大于所述第三子像素單元中所述陽極的面積。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





