[發(fā)明專利]一種疊層并聯(lián)太陽能電池

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810540682.3
• 申請日: 2018-05-30
• 公開（公告）號: CN110556445A
• 公開（公告）日: 2019-12-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 喬秀梅;劉琦;童翔
• 申請（專利權(quán)）人: 東泰高科裝備科技(北京)有限公司
• 主分類號: H01L31/0687
• 分類號: H01L31/0687;H01L31/0224;H01L31/18
• 代理公司: 11002 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司
• 代理人: 王文君;陳征

1.一種疊層并聯(lián)太陽能電池，其特征在于，用單層石墨烯將雙結(jié)或多結(jié)III-V族太陽能子電池進(jìn)行并聯(lián)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的太陽能電池，其特征在于，所述單層石墨烯通過直接生長法或轉(zhuǎn)移生長法設(shè)置于兩個子電池之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的太陽能電池，其特征在于，所述太陽能電池由如下方法制備得到：

1)通過外延生長方法，生長底層子電池；

2)在所述底層子電池上通過轉(zhuǎn)移生長法設(shè)置單層石墨烯層；

3)在所述單層石墨烯層上通過外延生長方法生長上面子電池，得雙結(jié)太陽能電池；

或，重復(fù)步驟2)和3)制備多結(jié)太陽能電池。

4.一種GaAs/GaInP疊層并聯(lián)太陽能電池，其特征在于，從下至上依次包括GaAs子電池、單層石墨烯和GaInP子電池。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的太陽能電池，其特征在于，所述GaAs子電池從下至上依次包括GaAs基底、背場層、GaAs基極、GaAs發(fā)射極和GaInP窗口層；

和/或，所述GaInP子電池從下至上包括依次形成于所述單層石墨烯上的背場層、GaInP基極、GaInP發(fā)射極和AlInP窗口層。

6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的太陽能電池，其特征在于，所述GaAs子電池還包括位于所述GaAs基底下的背面電極，所述GaInP子電池還包括位于所述AlInP窗口層上方的正面電極，所述背面電極和正面電極相互連接實現(xiàn)GaAs子電池和GaInP子電池并聯(lián)。

7.根據(jù)權(quán)利要求4～6任一項所述的太陽能電池，其特征在于，所述GaAs子電池的厚度2.5～3.5微米，和/或，所述GaInP子電池的厚度為0.7～1微米。

8.一種權(quán)利要求4～7所述太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：

1)通過外延生長方法，生長GaAs子電池；

2)在所述GaAs子電池上通過轉(zhuǎn)移生長法設(shè)置單層石墨烯層；

3)在所述石墨烯層上通過外延生長方法生長GaInP子電池；

4)制備GaAs子電池背電極和GaInP子電池正電極。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的制備方法，其特征在于，所述GaAs子電池的生長溫度是600～750℃，生長速率為30-90nm/min；

和/或，所述GaInP子電池的生長溫度為生長速率為30-90nm/min。

10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的制備方法，其特征在于，所述轉(zhuǎn)移生長法包括聚甲基丙烯酸甲酯轉(zhuǎn)移法、PDSM印章轉(zhuǎn)移法、熱剝離膠帶法、卷對卷轉(zhuǎn)移技術(shù)或電化學(xué)轉(zhuǎn)移法。