[發明專利]一種柔性有機發光顯示面板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201810540447.6 | 申請日: | 2018-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN108735789B | 公開(公告)日: | 2021-06-01 |
| 發明(設計)人: | 于泉鵬 | 申請(專利權)人: | 上海天馬微電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;G09F9/30 |
| 代理公司: | 北京品源專利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 201201 上海*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 柔性 有機 發光 顯示 面板 顯示裝置 | ||
1.一種柔性有機發光顯示面板,其特征在于,包括:
下保護膜;
位于所述下保護膜上的柔性襯底基板;
位于所述柔性襯底基板上的無機層;
位于所述無機層上的有機發光二極管層;
位于所述有機發光二極管層上的封裝結構,其中,所述封裝結構包含至少一層無機封裝層和至少一層有機封裝層;
位于所述封裝結構上的上保護膜;
其中,所述下保護膜在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影完全覆蓋所述無機層在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影;所述上保護膜在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影完全覆蓋所述無機層在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影;所述無機層的邊緣與所述柔性襯底基板的邊緣不平齊,所述柔性有機發光顯示面板在除去所述下保護膜和所述上保護膜時的中性面位置與未除去所述下保護膜和所述上保護膜時的中性面位置相同,所述柔性有機發光顯示面板的中性面位置位于所述無機層附近;所述下保護膜的長度和/或所述上保護膜的長度短于所述柔性襯底基板的長度;
所述封裝結構的邊緣到所述柔性襯底基板的邊緣的距離大于所述無機層的邊緣到所述柔性襯底基板的邊緣的距離。
2.根據權利要求1所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述柔性有機發光顯示面板包括顯示區和圍繞所述顯示區的非顯示區,所述非顯示區包括彎折區和非彎折區;
所述無機層位于所述彎折區、并至少部分位于所述非彎折區。
3.根據權利要求1所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述無機層的邊緣到所述柔性襯底基板的邊緣的距離大于或者等于150μm。
4.根據權利要求3所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述無機層的邊緣到所述柔性襯底基板的邊緣的距離等于150μm。
5.根據權利要求2所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,還包括位于所述柔性襯底基板上的裂縫抑制層;
其中,所述裂縫抑制層位于所述非彎折區,所述裂縫抑制層與所述無機層之間存在間隙。
6.根據權利要求5所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述下保護膜在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影完全覆蓋所述裂縫抑制層在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影;所述上保護膜在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影完全覆蓋所述裂縫抑制層在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影。
7.根據權利要求6所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述裂縫抑制層的邊緣與所述上保護膜的邊緣平齊,和/或,所述裂縫抑制層的邊緣與所述下保護膜的邊緣平齊。
8.根據權利要求5所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述裂縫抑制層與所述無機層同層設置,所述裂縫抑制層的材料與所述無機層的材料相同。
9.根據權利要求5所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,沿所述顯示區指向所述非顯示區的方向,所述裂縫抑制層包括第一裂縫抑制結構和第二裂縫抑制結構;
其中,所述第一裂縫抑制結構和所述第二裂縫抑制結構依次排列;且所述第一裂縫抑制結構和所述第二裂縫抑制結構之間存在間隙。
10.根據權利要求9所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,所述第一裂縫抑制結構和所述第二裂縫抑制結構在所述柔性有機發光顯示面板所在平面上的正投影均呈條狀。
11.根據權利要求1所述的柔性有機發光顯示面板,其特征在于,還包括:
位于所述柔性襯底基板上的薄膜晶體管層;
其中,所述薄膜晶體管層包括:位于所述柔性襯底基板上的緩沖層,位于所述緩沖層上的有源層,位于所述有源層上的柵極絕緣層,位于所述柵極絕緣層上的柵極,位于所述柵極上的層間絕緣層,位于所述層間絕緣層上的源極和漏極;位于所述源極和所述漏極上的鈍化層。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





