[發明專利]堆疊式封裝熱傳遞系統和方法在審
| 申請號： | 201810538031.0 | 申請日： | 2018-05-30 |
| 公開（公告）號： | CN109216330A | 公開（公告）日： | 2019-01-15 |
| 發明（設計）人： | O·卡爾哈德;C·L·魯默;N·德什潘德;R·M·尼克森 | 申請（專利權）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | H01L25/065 | 分類號： | H01L25/065 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 韓宏;陳松濤 |
| 地址： | 美國加*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體封裝 上表面 下表面 堆疊式封裝 可固化流體 熱傳遞系統 間隙形成 空隙空間 有機襯底 導電地 可通信 模塑料 熱分布 耦合到 堆疊 移除 流動 | ||
1.一種堆疊式封裝(PoP)半導體封裝，包括：
具有頂表面和底表面的第一半導體封裝；以及
具有頂表面和底表面的第二半導體封裝；所述第二半導體封裝可通信地耦合到所述第一半導體封裝；
其中，在將所述第一半導體封裝可通信地耦合到所述第二半導體封裝之后，間隙形成在所述第二半導體封裝的底表面和所述第一半導體封裝的頂表面之間；并且
其中，所述間隙填充有可固化流體材料，所固化的材料將所述第一半導體封裝的頂表面導熱地耦合到所述第二半導體封裝的底表面。
2.根據權利要求1所述的PoP系統，其中，所述第一半導體封裝包括管芯堆疊，并且其中，所述第一半導體封裝的頂表面的至少一部分包括所述管芯堆疊中包括的最上面的裸露管芯。
3.根據權利要求2所述的PoP系統，其中，至少一個第一半導體封裝包括片上系統(SoC)。
4.根據權利要求3所述的PoP系統，其中，所述第二半導體封裝包括封裝在具有第一熱導率的模塑料中的一個或多個存儲器管芯。
5.根據權利要求4所述的PoP系統，其中，所述可固化流體材料包括在固化時具有第二熱導率的非導電材料，所述第二熱導率大于所述第一熱導率。
6.根據權利要求1所述的PoP系統，其中，在操作中，所述第一半導體封裝的熱輸出超過所述第二半導體封裝的熱輸出。
7.根據權利要求1所述的PoP系統，其中，所述第一半導體封裝的頂表面包括具有第一面積的表面，并且所述第二半導體封裝的底表面包括具有第二面積的表面，所述第二面積小于所述第一面積。
8.根據權利要求1所述的PoP系統，其中，所述可固化流體材料至少部分地沿著所述第二半導體封裝的側面延伸，所固化的材料形成至少部分地圍繞所述第二半導體封裝的外圍延伸的外圍壁。
9.一種堆疊式封裝(PoP)半導體封裝制造方法，包括：
可通信地耦合第一半導體封裝和第二半導體封裝，以使得間隙形成在所述第二半導體封裝的下表面和所述第一半導體封裝的上表面之間，其中，所述第一半導體封裝包括形成所述第一半導體封裝的上表面的至少一部分的裸露管芯；以及
使可固化流體材料在所述第二封裝的下表面和所述第一封裝的上表面之間的間隙中流動，所固化的材料將所述第一半導體封裝的上表面導熱地耦合到所述第二半導體封裝的下表面。
10.根據權利要求9所述的PoP制造方法，其中，可通信地耦合第一半導體封裝和第二半導體封裝以使得間隙形成在所述第二半導體封裝的下表面和所述第一半導體封裝的上表面之間包括：
可通信地耦合所述第一半導體封裝和所述第二半導體封裝以使得所述間隙形成在所述第二半導體封裝的下表面和所述第一半導體封裝的上表面之間；
其中，所述第一半導體封裝包括管芯堆疊；并且
其中，形成所述第一半導體封裝的上表面的至少一部分的裸露管芯包括所述管芯堆疊中的最上面的管芯。
11.根據權利要求10所述的PoP制造方法，其中，可通信地耦合第一半導體封裝和第二半導體封裝以使得間隙形成在所述第二半導體封裝的下表面和所述第一半導體封裝的上表面之間包括：
可通信地耦合所述第一半導體封裝和所述第二半導體封裝以使得所述間隙形成在所述第二半導體封裝的下表面和所述第一半導體封裝的上表面之間；
其中，所述第一半導體封裝包括片上系統(SoC)。
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