[發明專利]一種具有交錯叉指式排列的淺槽隔離結構橫向半導體器件

有效

• 申請號: 201810537122.2
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN108807541B
• 公開（公告）日: 2020-06-30
• 發明（設計）人: 劉斯揚;陳虹廷;葉然;吳海波;孫偉鋒;陸生禮;時龍興
• 申請（專利權）人: 東南大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336
• 代理公司: 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204
• 代理人: 柏尚春

1.一種具有交錯叉指式淺槽隔離結構的橫向半導體器件，包括：P型襯底(1)，在P型襯底(1)的上方設有高壓N型區(2)，在高壓N型區(2)的上方設有N型漂移區(3)和P型體區(4)，在N型漂移區(3)內設有N型漏區(5)、第一淺槽隔離區(6A)、第二淺槽隔離區(6B)和第三淺槽隔離區(6C)，在P型體區(4)內設有N型源區(7)和P型區(8)，在高壓N型區(2)上還設有U形柵氧化層(9)且所述柵氧化層(9)的U形開口朝向漏端并且兩端分別延伸至P型體區(4)的上方和第一淺槽隔離區(6A)、第三淺槽隔離區(6C)的上方，在柵氧化層(9)的上方設有多晶硅柵場板(10)，在N型漏區(5)、N型源區(7)和P型區(8)的上表面分別設有漏極金屬接觸(11)、源極金屬接觸(12)和體區金屬接觸(13)，其特征在于，所述的第一淺槽隔離區(6A)、第二淺槽隔離區(6B)和第三淺槽隔離區(6C)在漂移區(3)內呈交錯叉指式排列，并且所述的第二淺槽隔離區(6B)在第一淺槽隔離區(6A)和第三淺槽隔離區(6C)的中間，所述的第一淺槽隔離區(6A)和第三淺槽隔離區(6C)距N型漏區(5)有一定距離且向源端延伸，所述的第二淺槽隔離區(6B)的一個邊界緊靠N型漏區(5)且向源端延伸，另一個邊界延伸進入第一淺槽隔離區(6A)和第三淺槽隔離區(6C)之間的區域。

2.根據權利要求1所述的一種具有交錯叉指式淺槽隔離結構的橫向半導體器件，其特征在于，所述的第一淺槽隔離區(6A)和第三淺槽隔離區(6C)距離漏端的距離為0.2μm-0.4μm，第二淺槽隔離區(6B)和第一淺槽隔離區(6A)、第三淺槽隔離區(6C)交錯的距離為0.1-0.3μm，相鄰兩個淺槽隔離區之間的間距為0.1μm-0.3μm。