[發(fā)明專利]一種LED封裝用硅膠材料及其制備方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810536415.9 | 申請日: | 2018-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN108976805A | 公開(公告)日: | 2018-12-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王行柱;劉敏淵;閆磊;周炫;肖啟振;吳衛(wèi)平;唐杰 | 申請(專利權(quán))人: | 深圳市珞珈新材料科技有限公司 |
| 主分類號: | C08L83/07 | 分類號: | C08L83/07;C08G77/38;C08G77/34;C08G77/06;H01L33/56 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 楊采良 |
| 地址: | 518110 廣東省深圳市龍華新區(qū)*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅膠材料 制備 折光 開環(huán)聚合反應(yīng) 脫除 八苯基環(huán)四硅氧烷 八甲基環(huán)四硅氧烷 四甲基環(huán)四硅氧烷 分解催化劑 高透光率 力學(xué)性能 熱穩(wěn)定性 材料學(xué) 低沸物 反應(yīng)瓶 封端劑 催化劑 合成 | ||
1.一種LED封裝用硅膠材料,其特征在于,所述LED封裝用硅膠材料包括:低折光硅膠材料和高折光硅膠材料;所述低折光硅膠主體材料的分子結(jié)構(gòu)式為:
所述高折光硅膠主體材料的分子結(jié)構(gòu)式為:
2.一種如權(quán)利要求1所述LED用封裝用硅膠材料的低折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述低折光硅膠材料的制備方法為:
原料處理:在反應(yīng)瓶中加入八甲基環(huán)四硅氧烷5~10g、四甲基環(huán)四硅氧烷4~10g和催化劑0.1~0.5g,干燥脫除水分;
開環(huán)聚合:將體系升溫至90~140℃,待體系粘度突增時,在保護(hù)性氣體下持續(xù)攪拌加入封端劑然后升溫至100~150℃,攪拌下恒溫聚合4h~5h至粘度穩(wěn)定;
分解催化劑:將體系繼續(xù)升溫,分解催化劑,分解過程中一直向體系中通入氣體以充分帶出催化劑分解產(chǎn)物;
脫除低沸物:將分解催化劑后體系轉(zhuǎn)移至蒸餾瓶中,脫除低沸物,冷卻至室溫即得到澄清透明的產(chǎn)物。
3.如權(quán)利要求2所述的低折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述催化劑為四丁基氫氧化銨甲醇。
4.如權(quán)利要求2所述的低折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述干燥脫除水分的條件和方法為:在35~45℃/-0.09MPa條件下脫除體系內(nèi)的甲醇和水分1~1.5h。
5.如權(quán)利要求2所述的低折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述保護(hù)性氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑饣蚰蕷猓凰龇舛藙樗募谆?二乙烯基二硅氧烷;
所述分解催化劑的方法為:將體系升溫至140~170℃分催化劑1~1.5h,解催化劑過程中一直向體系中通入氣體以完全帶出催化劑;
所述分解催化劑步驟中通入的氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑狻⒒蚰蕷猓?/p>
所述脫除低沸物的方法為:將體系移至蒸餾瓶中,于190℃~205℃/-0.09MPa下脫除低沸物。
6.一種如權(quán)利要求1所述LED用封裝用硅膠材料的高折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述高折光硅膠材料的制備方法為:
原料處理:在反應(yīng)瓶中加入八苯基環(huán)四硅氧烷4~10g、四甲基環(huán)四硅氧烷2~8g和催化劑0.1~0.5g,干燥脫除水分;
開環(huán)聚合:將體系升溫至90~140℃,待體系粘度突增時,在保護(hù)性氣體下持續(xù)攪拌加入封端劑然后升溫至100~150℃,攪拌下恒溫聚合4h~5h至粘度穩(wěn)定;
分解催化劑:將體系繼續(xù)升溫140~170℃,分解催化劑,分解過程中一直向體系中通入氣體以充分帶出催化劑分解產(chǎn)物;
脫除低沸物:將分解催化劑后體系轉(zhuǎn)移至蒸餾瓶中,脫除低沸物,冷卻至室溫即得到澄清透明的產(chǎn)物。
7.如權(quán)利要求6所述的高折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述催化劑為四丁基氫氧化銨甲醇。
8.如權(quán)利要求6所述的高折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述干燥脫除水分的條件和方法為:在35~45℃/-0.09MPa條件下脫除體系內(nèi)的甲醇和水分1~1.5h。
9.如權(quán)利要求6所述的高折光硅膠材料的制備方法,其特征在于,所述保護(hù)性氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑饣蚰蕷猓凰龇舛藙樗募谆?二乙烯基二硅氧烷;
所述分解催化劑的方法為:將體系升溫至140~170℃分解催化劑1~1.5h,解催化劑過程中一直向體系中通入氣體以完全帶出催化劑;
所述分解催化劑步驟中通入的氣體為氮?dú)狻鍤狻⒑狻⒒蚰蕷猓?/p>
所述脫除低沸物的方法為:將體系移至蒸餾瓶中,于190℃~205℃/-0.09MPa下脫除低沸物。
10.一種利用權(quán)利要求1所述LED封裝用硅膠材料制備的發(fā)光二極管。
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