[發(fā)明專利]發(fā)光裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810533231.7
• 申請日: 2018-05-23
• 公開（公告）號: CN108963056B
• 公開（公告）日: 2023-07-28
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 山下良平;笹岡慎平;橋本俊幸
• 申請（專利權(quán)）人: 日亞化學(xué)工業(yè)株式會社
• 主分類號: H01L33/58
• 分類號: H01L33/58;H01L33/60
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所 11105
• 代理人: 謝辰

1.一種發(fā)光裝置，其具備：

基體，其具有上表面；

多個光源，其配置于所述基體的上表面；

第一柱狀透鏡片，其配置成隔著所述多個光源而與所述基體對置；

半反射鏡，其位于所述第一柱狀透鏡片的上表面?zhèn)龋?/p>

第二柱狀透鏡片，其位于所述半反射鏡的上表面?zhèn)龋哂邢蚺c所述第一柱狀透鏡片的多個槽延伸的方向交叉的方向延伸的多個槽，

在所述第二柱狀透鏡片的上表面?zhèn)纫约八龅谝恢鶢钔哥R片的下表面?zhèn)炔痪邆浒敕瓷溏R。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光裝置，其中，

所述第一柱狀透鏡片的多個槽延伸的方向和所述第二柱狀透鏡片的多個槽延伸的方向成85°以上且95°以下的角度。

3.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

所述基體的所述上表面具有光反射性。

4.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

還具備位于所述第二柱狀透鏡片的上表面?zhèn)鹊墓鈹U散板。

5.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

所述半反射鏡含有電介質(zhì)多層膜。

6.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

在所述半反射鏡的垂直方向的反射率特性中，所述光源的發(fā)光峰值波長的長波長側(cè)的帶域比短波長側(cè)的帶域?qū)挕?/p>

7.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

所述半反射鏡的垂直方向的反射率相對于所述光源的發(fā)光波長帶域為30～75%。

8.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

還具備分別覆蓋所述多個光源的多個覆蓋部件，

所述覆蓋部件在所述光源的正上方具有凹部或貫通孔，

所述覆蓋部件的底面的寬度比所述覆蓋部件的最大寬度小。

9.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，

所述覆蓋部件的光軸高度比所述最大寬度小。

10.如權(quán)利要求8所述的發(fā)光裝置，其中，

所述多個光源分別具有：

至少一個發(fā)光元件、和

覆蓋所述發(fā)光元件的波長變換部件。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光裝置，其中，

所述波長變換部件的光軸方向的高度為所述覆蓋部件的最大寬度的4/5以下。

12.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

所述第一柱狀透鏡片和所述基體的間隔為所述多個光源中相鄰的光源的間距的0.25倍以下。

13.如權(quán)利要求1或2所述的發(fā)光裝置，其中，

在所述光源和所述基體之間配置有底部填充部件，

所述底部填充部件的反射率相對于所述光源的發(fā)光波長的光為50%以上。