[發明專利]一種改善MOS管應力效應的方法

有效

• 申請號: 201810531517.1
• 申請日: 2018-05-29
• 公開（公告）號: CN108598003B
• 公開（公告）日: 2021-08-27
• 發明（設計）人: 王鵬鵬
• 申請（專利權）人: 武漢新芯集成電路制造有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L21/265
• 代理公司: 上海申新律師事務所 31272
• 代理人: 俞滌炯

1.一種改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，包括：

提供一襯底，于所述襯底上形成一淺溝槽隔離結構，所述淺溝槽隔離結構分隔所述襯底以形成復數個有源區，于每個所述有源區上包括閾值電壓調整區，所述閾值電壓調整區為柵極制備區邊緣至所述有源區的邊緣的區域；

還包括以下步驟：

步驟S1、根據所述閾值電壓調整區的寬度將所述閾值電壓調整區劃分至少兩類，至少兩類所述閾值電壓調整區包括第一閾值電壓調整區及第二閾值電壓調整區；

所述第一閾值電壓調整區的尺寸小于所述第二閾值電壓調整區的尺寸；

步驟S2、以一閾值電壓調整離子對所述第一閾值電壓調整區進行第一注入工藝；

步驟S3、以所述閾值電壓調整離子對所述第二閾值電壓調整區進行第二注入工藝；

根據所述第一注入工藝及所述第二注入工藝的不同的注入劑量來分別調節所述第一閾值電壓調整區及所述第二閾值電壓調整區的閾值電壓的一致性；

所述第一注入工藝的注入劑量小于所述第二注入工藝的注入劑量。

2.根據權利要求1所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述閾值電壓調整離子的注入能量范圍為5-60keV。

3.根據權利要求1所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，于所述第一注入工藝中，所述閾值電壓調整離子的注入方向與所述襯底具有一預設角度；和/或，

于所述第二注入工藝中，所述閾值電壓調整離子的注入方向與所述襯底具有一預設角度。

4.根據權利要求3所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述預設角度為60-90度。

5.根據權利要求1所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述步驟S3之后，于所述第一閾值電壓調整區及所述第二閾值電壓調整區的表面生長氧化層，以激活所述閾值電壓調整離子；和/或，

所述步驟S3之后，對所述第一閾值電壓調整區及所述第二閾值電壓調整區進行高溫退火工藝，以激活所述閾值電壓調整離子。

6.根據權利要求1所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，于步驟S1中，根據寬度將所述閾值電壓調整區劃分三類，三類所述閾值電壓調整區包括第一閾值電壓調整區、第二閾值電壓調整區及第三閾值電壓調整區。

7.根據權利要求6所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述第一閾值電壓調整區的尺寸小于0.5um。

8.根據權利要求6所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述第二閾值電壓調整區的尺寸在0.5-1.3um之間。

9.根據權利要求6所述的改善MOS管應力效應的方法，其特征在于，所述第三閾值電壓調整區的尺寸大于1.3um。