[發明專利]一種碘化汞薄膜籽晶層的制備方法有效
| 申請號： | 201810529204.2 | 申請日： | 2018-05-29 |
| 公開（公告）號： | CN108560050B | 公開（公告）日： | 2020-11-17 |
| 發明（設計）人： | 許崗;楊叢笑;李俊英;李高宏;谷智;靳長清;魏永星;陳靜;侯雁楠 | 申請（專利權）人： | 西安工業大學 |
| 主分類號： | C30B29/12 | 分類號： | C30B29/12;C30B28/04;C30B30/02 |
| 代理公司： | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人： | 黃秦芳 |
| 地址： | 710032 陜*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碘化 薄膜 籽晶 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種碘化汞薄膜籽晶層的制備方法，其特征在于，依次包括下述步驟：
a、基片的準備：裁割ITO或TFT玻璃制成基片，按照常規處理方法得到潔凈光滑的基片，放入充滿氬氣的手套箱中；
b、反應溶液的制備：在充滿氬氣的手套箱中，將碘化汞（HgI2）粉末加入到HI酸中，適度攪拌后形成濃度范圍為0.2~0.6g/L的溶液反應體系，溶液配好后繼續攪拌0.5~1h后結束；
c、液相沉積：將潔凈的基片水平放入容器底部的溶液中進行沉積生長；將容器放在平板電極間，基片位置置于電極板高度方向的中心，電極間電壓設定形成24~72V/cm開始沉積；沉積過程中，生長環境溫度為20~30℃，沉積時間72~120h；關閉靜電場電源，將剩余殘液從稱量瓶中移出；然后取出生長好的基片，此時基片上有已有一層紅色的多晶碘化汞籽晶層；
d、籽晶層處理：將多晶碘化汞籽晶層置于在氬氣氣氛下恒溫干燥1~2h，然后在真空條件下保存。
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于西安工業大學，未經西安工業大學許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201810529204.2/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
