[發明專利]一種發光二極管外延片的制備方法

有效

• 申請號: 201810525530.6
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN108735864B
• 公開（公告）日: 2019-08-23
• 發明（設計）人: 從穎;姚振;胡加輝;李鵬
• 申請（專利權）人: 華燦光電（浙江）有限公司
• 主分類號: H01L33/00
• 分類號: H01L33/00;H01L33/14;H01L33/32
• 代理公司: 北京三高永信知識產權代理有限責任公司 11138
• 代理人: 徐立

1.一種發光二極管外延片的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括：

提供一襯底；

在所述襯底上生長GaN緩沖層；

在所述GaN緩沖層上生長未摻雜GaN層；

在所述未摻雜GaN層上生長N型GaN層；

在所述N型GaN層上生長有源層，所述有源層包括沿所述N型GaN層的生長方向依次層疊的第一子層、第二子層、第三子層；

在所述有源層上生長電子阻擋層；

在所述電子阻擋層上生長P型GaN層，

其中，所述第一子層、所述第二子層、所述第三子層均包括交替層疊的InGaN阱層與GaN壘層，

所述第一子層中InGaN阱層的生長溫度、所述第二子層中InGaN阱層的生長溫度與所述第三子層中InGaN阱層的生長溫度相同，所述第一子層中GaN壘層的生長溫度采用所述第一子層中InGaN阱層的生長溫度，所述第二子層中GaN壘層的生長溫度大于第一子層中GaN壘層的生長溫度，所述第三子層中GaN壘層的生長溫度大于所述第二子層中GaN壘層的生長溫度，

所述第一子層中的GaN壘層、所述第二子層中的GaN壘層與所述第三子層中的GaN壘層均在包括有H₂的氣體氛圍下生長。

2.根據權利要求1所述的制備方法，其特征在于，在生長所述有源層中InGaN阱層時，向反應室內通入NH₃及N₂；在生長所述有源層中GaN壘層時，向反應室內通NH₃、N₂及H₂。

3.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，生長所述有源層的GaN壘層時，向所述反應室內通入的N₂與H₂的流量比值為2:1～5:1。

4.根據權利要求2所述的制備方法，其特征在于，生長所述有源層的InGaN阱層時通入的NH₃的流量與生長所述有源層的GaN壘層時通入的NH₃的流量比值為1.5:1～3:1。

5.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第三子層中GaN壘層的生長溫度與所述第一子層中GaN壘層的生長溫度的差值為30～50℃。

6.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第三子層中GaN壘層的生長溫度與所述第二子層中GaN壘層的生長溫度的差值等于所述第二子層中GaN壘層的生長溫度與所述第一子層中GaN壘層的生長溫度的差值。

7.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述第一子層的生長溫度為720～830℃。

8.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述有源層中GaN壘層的生長壓力均大于所述有源層中InGaN阱層的生長壓力。

9.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述在所述N型GaN層上生長有源層包括：

在所述N型GaN層上交替生長L個GaN壘層和L個InGaN阱層，形成第一子層，1≤L≤2且L為整數；

在所述第一子層上交替生長M個GaN壘層和M個InGaN阱層，形成第二子層，2≤M≤3且M為整數；

在所述第二子層上交替生長N個GaN壘層和N個InGaN阱層，形成第三子層，3≤N≤4且N為整數。

10.根據權利要求1～4任一項所述的制備方法，其特征在于，所述有源層中GaN壘層的厚度與所述有源層中InGaN阱層的厚度的比值為2.5:1～5:1。