[發明專利]從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法

有效

• 申請號: 201810523532.1
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN110540252B
• 公開（公告）日: 2022-07-15
• 發明（設計）人: 許開華;李琴香;李玉華;朱少文;彭亞光;哈維生;譚逢強
• 申請（專利權）人: 荊門市格林美新材料有限公司
• 主分類號: C01G51/10
• 分類號: C01G51/10;C01G17/02;C25C1/12
• 代理公司: 深圳市合道英聯專利事務所(普通合伙) 44309
• 代理人: 廉紅果;侯峰

1.一種從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，其方法通過以下步驟實施：

步驟1，將白合金投入反應槽，向白合金中加入氧化劑進行氧化浸出，獲得第一浸出漿料；

步驟2，在0~100℃下以及pH值在0~5下控制所述步驟1獲得第一浸出漿料進行自還原，獲得第二浸出漿料；

步驟3，將所述步驟2獲得的第二浸出漿料進行固液分離，獲得銅鍺渣；

步驟4，將所述步驟3獲得的銅鍺渣依次進行氧化浸出、沉鍺、固液分離，獲得鍺精礦；

步驟5，將所述步驟4獲得的鍺精礦依次進行氯化蒸餾、精餾、水解，獲得高純二氧化鍺；

所述步驟3中將所述步驟2獲得的第二浸出漿料進行固液分離，還獲得含鈷濾液，所述步驟3之后還包括：向所述含鈷濾液中加入除鐵劑進行除鐵，然后采用P204萃取對除鐵后的所述含鈷濾液進行除雜，在采用P507萃取對除雜后的所述含鈷濾液進行鈷富集，獲得電池級CoSO₄溶液。

2.根據權利要求1所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟1中氧化浸出的反應溫度為0~100℃，反應時間為2~8h，pH值小于4。

3.根據權利要求2所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟1中氧化劑為二氧化錳、氯酸鈉、過氧化氫、高錳酸鉀、或過硫酸鈉中至少一種，所述氧化劑的加入的質量為白合金的質量的0.1~5倍。

4.根據權利要求3所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述除鐵劑為氫氧化鈉、液氨、氧化鈣或者氫氧化鈣中至少一種，所述除鐵為在反應溫度為60~100℃、pH值為1.8~4.0下控制所述含鈷濾液中的鐵的含量不超過500mg/L。

5.根據權利要求4所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟4具體通過以下步驟實施：

步驟4.1，將所述步驟3獲得的銅鍺渣投入反應槽，并加入氧化劑進行氧化浸出，獲得第三浸出漿料；

步驟4.2，向所述步驟4.1獲得的第三浸出漿料加入沉淀劑進行沉鍺，并將沉鍺后的所述第三浸出漿料進行固液分離，獲得鍺精礦。

6.根據權利要求5所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟4.1中氧化浸出的反應溫度為0~100℃，反應時間為5~6h，pH值小于4；所述步驟4.2中沉鍺的反應溫度為35~90℃，反應時間為3h。

7.根據權利要求5所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟4.1中氧化劑為氯酸鈉、過氧化氫、高錳酸鉀、或過硫酸鈉中至少一種，氧化劑的加入的質量為銅鍺渣的質量的0.5~5倍。

8.根據權利要求6或7所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟4.2中沉淀劑為氫氧化鈉、Na₂S、MgO或丹寧酸中至少一種，沉淀劑的加入的質量為所述第三浸出漿料中鍺含量的1~100倍。

9.根據權利要求8所述的從白合金中制備電池級硫酸鈷和高純二氧化鍺的方法，其特征在于，所述步驟4中將所述步驟3獲得的銅鍺渣依次進行氧化浸出、沉鍺、固液分離，還獲得CuSO₄溶液，所述步驟4之后還包括：采用不溶陽極和永久陰極對所述CuSO₄溶液進行電沉積，獲得陰極銅。