[發明專利]一種制備銅銦鎵碲薄膜的方法

在審

• 申請號: 201810522180.8
• 申請日: 2018-05-28
• 公開（公告）號: CN108767059A
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發明（設計）人: 劉科高;李靜;許超;趙忠新;劉宏
• 申請（專利權）人: 山東建筑大學
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;H01L31/032;H01L21/368
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種制備銅銦鎵碲薄膜的方法，包括如下順序的步驟：

玻璃基片或硅基片的清洗；

先將2.0～5.0份TeO₂放入30～120份的溶劑中，待其完全反應后，將1.0～3.0份Cu(NO₃)₂、1.0～3.0份In(NO₃)₃和0.1～3.0份Ga(NO₃)₃放入，使溶液中的物質均勻混合；

制作表面均勻涂布步驟b所述溶液的基片，自然晾干，得到前驅體薄膜樣品；

d.將步驟c所得前驅體薄膜樣品置于支架上，放入有水合聯氨的可密閉容器，使前驅體薄膜樣品不與聯氨接觸；水合聯氨放入量為30.0～45.0份；將上述裝有前驅體薄膜樣品的密閉容器放入烘箱中，加熱至160～220℃之間，保溫時間10～60小時，然后冷卻到室溫取出；

e.取出自然干燥后，重復b、c和d步驟2~6次，以增加所制備薄膜的厚度；

f.將步驟e所得物，使其常溫自然干燥后，增加熱處理工藝，在管式加熱爐中加熱至200~400℃，保溫5~15小時，即得到銅銦鎵碲光電薄膜。

2.如權利要求1所述的一種制備銅銦鎵碲光電薄膜的方法，其特征在于，步驟a所述清洗，將玻璃片或硅片切至20mm×20mm×2mm大小作為薄膜基片，然后用去離子水清洗2~3次，隨后經過稀硫酸煮沸30~40min、水浴加熱40~50min、去離子水超聲清洗20min，這三個重要清洗步驟后，用雙氧水浸泡保存備用即可。

3.如權利要求1所述的一種制備銅銦鎵碲光電薄膜的方法，其特征在于，步驟b所述溶劑為鹽酸溶液。

4.如權利要求1所述的一種制備銅銦鎵碲光電薄膜的方法，其特征在于，步驟c所述均勻涂抹的基片，是通過勻膠機旋涂，勻膠機以200～3500轉/分旋轉，然后對基片進行烘干后，再次如此重復2～8次，得到了一定厚度的前驅體薄膜樣品。

5.如權利要求1所述的一種制備銅銦鎵碲光電薄膜的方法，其特征在于，步驟d所述密閉容器內放入30.0～45.0份水合聯氨。