[發明專利]感測用基底和制造感測用基底的方法

有效

• 申請號: 201810521807.8
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN108931515B
• 公開（公告）日: 2023-09-15
• 發明（設計）人: 梁大鐘;趙顯俊;尹永竣;朱爀
• 申請（專利權）人: 三星電子株式會社;加利福尼亞州技術學院
• 主分類號: G01N21/65
• 分類號: G01N21/65;B81C1/00
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 李敬文

1.一種感測用基底，包括：

支撐層；

種子層，在所述支撐層上；

多個金屬納米微粒簇，布置在所述種子層上，所述多個金屬納米微粒簇中的每一個包括以三維結構堆疊的多個導電金屬納米微粒；以及

多個穿孔，布置在所述多個金屬納米微粒簇之間，其中所述多個穿孔中的每一個中傳送入射光，使得在所述光沿著所述多個穿孔中的每一個傳送時，所述光激發所述多個金屬納米微粒簇中的每一個的上部與所述多個金屬納米微粒簇中的每一個的下部之間的導電金屬納米微粒。

2.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述支撐層包括半導體晶片。

3.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述金屬納米微粒包括選自金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)和鋁(Al)的至少一種導電金屬。

4.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述多個金屬納米微粒簇中的每一個從所述種子層的表面豎直地延伸。

5.根據權利要求4所述的感測用基底，其中所述多個金屬納米微粒簇中的每一個的厚度為50nm至1μm。

6.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述多個穿孔中的每一個延伸到所述種子層的表面，使得所述多個穿孔中的每一個將入射光傳送到所述種子層的表面。

7.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述多個金屬納米微粒的平均直徑為10nm至20nm。

8.根據權利要求1所述的感測用基底，其中所述多個金屬納米微粒簇中的相鄰金屬納米微粒簇之間的平均間距為8nm至20nm。

9.一種分析裝置，包括根據權利要求1至8中任一項所述的感測用基底。

10.一種制造感測用基底的方法，所述方法包括：

在支撐層上形成多個納米線；

形成各自包括以三維結構堆疊的多個導電金屬納米微粒的多個金屬納米微粒簇，其中形成所述多個金屬納米微粒簇包括將多個導電金屬納米微粒沉積在所述多個納米線的表面上；以及

通過至少部分地去除所述多個納米線，在所述多個金屬納米微粒簇之間形成多個穿孔，

其中沉積所述多個導電金屬納米微粒包括：

液相沉積操作，將其上形成有所述多個納米線的所述支撐層置于金屬納米微粒前驅溶液中，并加熱其中具有所述支撐層的所述金屬納米微粒前驅溶液；以及

清潔操作，清潔所述支撐層，

其中所述形成多個穿孔包括在所述液相沉積操作期間至少部分地去除所述多個納米線。

11.根據權利要求10所述的方法，其中所述支撐層包括半導體晶片。

12.根據權利要求10所述的方法，其中所述多個納米線由硅(Si)、磷化銦(InP)、氮化鎵(GaN)或氧化鋅(ZnO)形成。

13.根據權利要求10所述的方法，其中所述形成多個納米線包括：

在所述支撐層上涂覆納米線材料的種子層；

將所述支撐層置于包含所述納米線材料的前驅的溶液中；

從所述溶液中去除所述支撐層；以及

熱處理所述支撐層。

14.根據權利要求10所述的方法，其中所述形成所述多個金屬納米微粒簇還包括多次重復所述液相沉積操作。

15.根據權利要求10所述的方法，其中所述金屬納米微粒前驅溶液包含至少部分溶解所述多個納米線的溶劑。

16.根據權利要求10所述的方法，其中所述金屬納米微粒包括選自金(Au)、銀(Ag)、銅(Cu)和鋁(Al)的至少一種導電金屬。