[發明專利]一種真空傳輸裝置有效
| 申請號: | 201810521696.0 | 申請日: | 2018-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN109065487B | 公開(公告)日: | 2020-10-23 |
| 發明(設計)人: | 王慧勇;肖慧 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十八研究所 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677;H01L31/18 |
| 代理公司: | 湖南兆弘專利事務所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周長清;戴玲 |
| 地址: | 410111 湖南*** | 國省代碼: | 湖南;43 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 真空 傳輸 裝置 | ||
本發明公開了一種真空傳輸裝置,包括傳輸組件、第一真空腔體、第二真空腔體和真空發生器,傳輸組件包括輸送帶和驅動輸送帶轉動的傳送驅動機構,第一真空腔體位于輸送帶的輸送段的下方,并與輸送段貼合,第一真空腔體與第二真空腔體之間通過支撐組件連接,且二者通過連接管道連通,真空發生器與第二真空腔體連通,輸送段與第一真空腔體貼合的表面沿著輸送方向設有真空吸附孔,真空吸附孔與第一真空腔體連通。本發明具有負壓均勻穩定、能夠快速平穩傳輸電池片的優點。
技術領域
本發明涉及PERC高效電池制造的自動化設備領域,尤其涉及一種真空傳輸裝置。
背景技術
2015年光伏領跑者計劃推出,國家通過此項計劃引導光伏行業有序升級,行業積極響應并順勢加快高效電池技術從研發走向量產的步伐。經過市場大浪淘沙,光伏行業主要選擇的主要高效電池技術有:多晶黑硅電池技術、N型單晶雙面電池技術以及P型單晶PERC電池技術。
和常規單晶電池工藝相比,PERC單晶電池主要增加了背面鈍化、背面SiNx膜沉積和激光打孔三道工藝。最近幾年隨著沉積AlOx產業化制備技術和設備的成熟,及多種激光設備在PERC工藝上的成功應用,PERC技術開始逐步走向產業化。同時PERC電池大面積的量產效率持續攀升,單晶PERC電池產線效率普遍達到21-21.5%,多晶達到20-20.5%左右。工業化大面積單晶PERC和多晶PERC電池的最高轉換效率分別達到22.6%(我國常州天合)和21.63%(我國晶科),近幾年PERC電池越來越引起行業重視,產能獲得快速擴張。
PERC工藝要求激光消融設備按照工藝圖形精準去除覆蓋在電池背面的鈍化層和SiNx覆蓋層,使后續工序絲網印刷的鋁漿可以與電池背面的硅片形成有效接觸,讓光生電流通過接觸的鋁漿導出。因Al漿無法穿透SiNx層,其余未被激光去除的鈍化層被覆蓋在其上方的SiNx覆蓋層保護,從而降低表面復合速率,大大提升PERC電池工藝的效率。
激光消融設備的加工工藝是電池片經視覺系統定位后再進行激光打標,電池片在傳輸過程保持位置相對固定,從而實現按照工藝圖形的精準加工。現有技術中,采用真空傳輸裝置進行電池片的輸送,該真空裝置主要是輸送帶的輸送段與真空腔體的表面貼合,二者結合面均設置真空吸附小孔,真空腔體直接與真空發生器連接。然而這種結構,電池片在輸送的過程中,真空腔體消耗的真空遠比真空發生器提供的真空多,從而造成電池片吸附不穩定。
發明內容
本發明要解決的技術問題是克服現有技術的不足,提供一種負壓均勻穩定、能夠快速平穩傳輸電池片真空傳輸裝置。
為解決上述技術問題,本發明采用以下技術方案:
一種真空傳輸裝置,包括傳輸組件、第一真空腔體、第二真空腔體和真空發生器,所述傳輸組件包括輸送帶和驅動輸送帶轉動的傳送驅動機構,所述第一真空腔體位于輸送帶的輸送段的下方,并與輸送段貼合,所述第一真空腔體與第二真空腔體之間通過支撐組件連接,且二者通過連接管道連通,所述真空發生器與第二真空腔體連通,所述第一真空腔體與輸送段貼合的表面沿著輸送方向設有成排的第一氣孔,所述輸送帶上設有成排的第二氣孔,所述第一氣孔的數量與輸送段內的第二氣孔數量相同,且二者重合。
作為上述技術方案的進一步改進:
所述第二真空腔體的腔體容積不小于第一真空腔體的腔體容積與連接管道的容積之和。
所述第一真空腔體與輸送段貼合的表面的兩端設有無真空吸附區。
所述輸送帶包括并排間隔設置的兩個子輸送帶,所述兩個子輸送帶均由傳送驅動機構驅動,所述兩個子輸送帶均設有一排第二氣孔,所述第一真空腔體包括兩個子真空腔體,兩個子真空腔體均設有一排第一氣孔,兩個子輸送帶與兩個子真空腔體一一對應。
所述第二真空腔體與兩個子真空腔體之間設有多根所述連接管道,所述多根連接管道兩兩一組,每一組的兩根連接管道分別與兩個子真空腔體連通。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





