[發明專利]柔性硅片的制備方法有效
| 申請號： | 201810517115.6 | 申請日： | 2018-05-25 |
| 公開（公告）號： | CN110526202B | 公開（公告）日： | 2022-11-01 |
| 發明（設計）人： | 馮雪;蔣曄;陳穎;付浩然;張柏誠;劉蘭蘭 | 申請（專利權）人： | 浙江清華柔性電子技術研究院;清華大學 |
| 主分類號： | B81C1/00 | 分類號： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 杭州華進聯浙知識產權代理有限公司 33250 | 代理人： | 李麗華 |
| 地址： | 314006 浙江省嘉興*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 柔性 硅片 制備 方法 | ||
1.一種柔性硅片的制備方法，其特征在于，包括步驟：
提供一硅片，所述硅片包括第一表面、與所述第一表面相背的第二表面、以及位于所述硅片周側的側面；
在所述硅片的所述第一表面和所述側面上形成抗刻蝕層；
在所述硅片的所述第二表面上刻蝕形成微結構；
采用反應離子刻蝕技術刻蝕形成有所述微結構的硅片，減薄所述硅片；
去除所述微結構和所述抗刻蝕層，得到柔性硅片。
2.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，采用反應離子刻蝕技術刻蝕形成所述微結構。
3.根據權利要求2所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述采用反應離子刻蝕技術刻蝕形成所述微結構步驟中的刻蝕氣體包括含鹵素氣體和氧化性氣體。
4.根據權利要求3所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述刻蝕氣體的流量為30sccm～300sccm，其中含鹵素氣體和氧化性氣體的比例為1:1～8:1。
5.根據權利要求3所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述含鹵素氣體為SF6、CF4、Cl2中的至少一種。
6.根據權利要求3所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述氧化性氣體為O2。
7.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述微結構為孔狀結構、錐狀結構、柱狀結構、針狀結構、線狀結構中的至少一種。
8.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述采用反應離子刻蝕技術刻蝕形成有所述微結構的硅片的步驟中的刻蝕氣體為含鹵素氣體，所述含鹵素氣體為SF6、CF4中的至少一種。
9.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述采用反應離子刻蝕技術刻蝕形成所述微結構步驟中的刻蝕氣體的流量為30sccm～300sccm。
10.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述微結構采用化學拋光溶液去除。
11.根據權利要求10所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述化學拋光溶液為NaOH溶液或KOH溶液，質量分數為20％～50％。
12.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，采用化學氣相沉積方法沉積形成所述抗刻蝕層。
13.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述抗刻蝕層采用刻蝕溶液去除。
14.根據權利要求13所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述刻蝕溶液為HF溶液。
15.根據權利要求1所述的柔性硅片的制備方法，其特征在于，所述硅片為525μm～775μm的晶圓硅片或160μm～220μm的太陽電池級硅片；及/或
所述抗刻蝕層的厚度為1μm～5μm；及/或
所述抗刻蝕層為氮化硅層，所述氮化硅層中Si/N＝1:1.5～1:1.1；及/或
所述柔性硅片的厚度為10μm～50μm。
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