[發明專利]光檢測裝置及攝像裝置有效
| 申請號: | 201810516576.1 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN109216381B | 公開(公告)日: | 2023-03-21 |
| 發明(設計)人: | 高瀨雅之;宍戸三四郎 | 申請(專利權)人: | 松下知識產權經營株式會社 |
| 主分類號: | H01L27/144 | 分類號: | H01L27/144;H04N25/70 |
| 代理公司: | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人: | 高迪 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 檢測 裝置 攝像 | ||
1.一種光檢測裝置,具備:
光電轉換部,生成電荷;
第一電荷轉送路徑,具有第一端和第二端,所述第一端與所述光電轉換部連接,所述第一電荷轉送路徑在從所述第一端向所述第二端的第一方向上轉送來自所述光電轉換部的電荷;
第二電荷轉送路徑,從所述第一電荷轉送路徑的第一位置分支;
第三電荷轉送路徑,從所述第一電荷轉送路徑的第二位置分支,在所述第一方向上所述第二位置離所述光電轉換部比所述第一位置離所述光電轉換部更遠;
第一電荷積蓄部,積蓄從所述第一電荷轉送路徑經由所述第二電荷轉送路徑轉送的電荷;
第二電荷積蓄部,積蓄從所述第一電荷轉送路徑經由所述第三電荷轉送路徑轉送的電荷;
第一柵極電極,對所述第一電荷轉送路徑中的電荷的轉送及阻斷進行切換;以及
至少一個第二柵極電極,對所述第二電荷轉送路徑中的電荷的轉送及阻斷進行切換,以及對所述第三電荷轉送路徑中的電荷的轉送及阻斷進行切換,
在平面視時,所述第三電荷轉送路徑的寬度比所述第二電荷轉送路徑的寬度更寬。
2.如權利要求1所述的光檢測裝置,還具備:
第四電荷轉送路徑,從所述第一電荷轉送路徑的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之間的第三位置分支;以及
第三電荷積蓄部,積蓄從所述第一電荷轉送路徑經由所述第四電荷轉送路徑轉送的電荷,
所述至少一個第二柵極電極對所述第四電荷轉送路徑中的電荷的轉送及阻斷進行切換,
所述第一電荷積蓄部及所述第二電荷積蓄部與讀出所積蓄的電荷的讀出電路連接,
所述第三電荷積蓄部不與讀出所積蓄的電荷的讀出電路連接。
3.如權利要求2所述的光檢測裝置,
在平面視時,所述第四電荷轉送路徑的寬度比所述第二電荷轉送路徑的寬度及所述第三電荷轉送路徑的寬度更窄。
4.如權利要求1所述的光檢測裝置,還具備:
第四電荷轉送路徑,從所述第一電荷轉送路徑的在所述第一方向上位于所述第一位置和所述第二位置之間的第三位置分支;
第三電荷積蓄部,積蓄從所述第一電荷轉送路徑經由所述第四電荷轉送路徑轉送的電荷;
讀出電路,與所述第一電荷積蓄部、所述第二電荷積蓄部及所述第三電荷積蓄部中的各個電荷積蓄部連接,讀出所積蓄的電荷;以及
信號處理部,與所述讀出電路連接,
所述至少一個第二柵極電極對所述第四電荷轉送路徑中的電荷的轉送及阻斷進行切換,
所述信號處理部利用從所述第一電荷積蓄部及所述第二電荷積蓄部讀出的電荷的電荷量而不利用從所述第三電荷積蓄部讀出的電荷的電荷量地進行信號處理。
5.如權利要求1所述的光檢測裝置,還具備:
電荷掃掠部,與所述第一電荷轉送路徑的所述第二端連接。
6.一種攝像裝置,具備:
像素陣列,陣列狀地配置由權利要求1所述的光檢測裝置構成的多個像素。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





