[發明專利]氣體集成塊結構、工藝腔室及半導體加工設備有效
| 申請號: | 201810515616.0 | 申請日: | 2018-05-25 |
| 公開(公告)號: | CN110534448B | 公開(公告)日: | 2022-03-22 |
| 發明(設計)人: | 王勇飛;蘭云峰;王帥偉 | 申請(專利權)人: | 北京北方華創微電子裝備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677 |
| 代理公司: | 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112 | 代理人: | 彭瑞欣;張天舒 |
| 地址: | 100176 北京*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 氣體 集成塊 結構 工藝 半導體 加工 設備 | ||
1.一種氣體集成塊結構,用于設置在腔室本體上,以將工藝氣體引入至所述腔室本體內,其特征在于,包括氣體集成塊主體和封堵機構,其中,
所述氣體集成塊主體上設有氣體通道口,所述氣體通道口用于將所述工藝氣體引入至所述腔室本體內;
所述封堵機構能在腔室蓋開啟時封堵所述氣體通道口,或者在所述腔室蓋關閉時開啟所述氣體通道口;
所述封堵機構包括蓋板組件、連桿組件和移動組件,其中,所述蓋板組件通過所述連桿組件與所述移動組件連接;
所述移動組件能在所述腔室蓋開啟時移動至第一位置,或者在所述腔室蓋關閉時移動至第二位置;
所述蓋板組件能在所述移動組件位于所述第一位置時封堵所述氣體通道口,或者,所述蓋板組件能在所述移動組件位于所述第二位置時開啟所述氣體通道口。
2.根據權利要求1所述的氣體集成塊結構,其特征在于,所述移動組件包括第一導向柱、第一滾輪、導軌、支撐件和彈性件,其中,
所述第一導向柱豎直設置,所述第一導向柱的上端設置有所述第一滾輪,以與所述腔室蓋的下表面保持可滾動的接觸;
所述導軌相對于所述第一導向柱傾斜設置,所述導軌的上端與所述第一導向柱的下端連接;所述連桿組件與所述導軌連接,且能沿所述導軌移動;
所述支撐件與所述導軌的下端連接,所述彈性件設置在所述支撐件的下方,所述支撐件能在所述腔室蓋關閉過程中使所述彈性件壓縮變形。
3.根據權利要求2所述的氣體集成塊結構,其特征在于,所述連桿組件包括連接桿和滑動件,其中,
所述連接桿水平設置,所述連接桿的一端通過所述滑動件與所述導軌連接,所述連接桿的另一端與所述蓋板組件連接;
所述滑動件能夠沿所述導軌移動;在所述滑動件移動至所述導軌的上端時,所述連接桿帶動所述蓋板組件移動至開啟所述氣體通道口的位置,或者在所述滑動件移動至所述導軌的下端時,所述連接桿帶動所述蓋板組件移動至封堵所述氣體通道口的位置。
4.根據權利要求3所述的氣體集成塊結構,其特征在于,所述蓋板組件包括支撐柱、蓋板和第二滾輪,其中,
所述支撐柱豎直設置,所述支撐柱的上端與所述蓋板連接,所述支撐柱的下端與所述第二滾輪連接。
5.根據權利要求4所述的氣體集成塊結構,其特征在于,所述氣體集成塊主體包括本體,所述氣體通道口位于所述本體的上表面;
所述本體的上表面設置有導向凹部,所述移動組件的所述第一導向柱位于所述導向凹部內;
所述本體的上表面且位于所述氣體通道口的一側形成第一凹部;所述本體的側面設置有水平凸臺,所述水平凸臺的一側設有第二凹部,所述第二凹部包括底面和坡面,所述底面、坡面與所述水平凸臺的上表面平滑過渡形成滑軌。
6.根據權利要求5所述的氣體集成塊結構,其特征在于,在所述連接桿中設置有通孔,所述第二滾輪穿過所述通孔;
所述第二滾輪移動至所述底面時,所述蓋板位于所述第一凹部中;所述第二滾輪移動至所述水平凸臺的上表面時,所述蓋板移出所述第一凹部,且所述蓋板的下表面不低于所述本體的上表面。
7.根據權利要求2所述的氣體集成塊結構,其特征在于,所述移動組件還包括第二導向柱和套筒,其中,
所述第二導向柱豎直設置,且所述第二導向柱的上端與所述支撐件的底部連接;并且,所述第二導向柱位于所述套筒中;
所述套筒的上端與所述氣體集成塊主體的底部連接;所述彈性件設置在所述套筒中。
8.一種工藝腔室,包括腔室本體和相對于所述腔室本體可開合的腔室蓋,其特征在于,還包括如權利要求1-7任意一項所述的氣體集成塊結構,所述氣體集成塊結構設置在所述腔室本體上;
氣體通道口朝向所述腔室蓋,封堵機構能在所述腔室蓋開啟時封堵氣體通道口,或者在腔室蓋關閉時開啟氣體通道口。
9.一種半導體加工設備,其特征在于,包括權利要求8所述的工藝腔室。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





