[發明專利]中子捕獲治療系統

在審

• 申請號: 201810511650.0
• 申請日: 2018-05-25
• 公開（公告）號: CN110523007A
• 公開（公告）日: 2019-12-03
• 發明（設計）人: 蔡炅彣;陳韋霖
• 申請（專利權）人: 中硼(廈門)醫療器械有限公司
• 主分類號: A61N5/10
• 分類號: A61N5/10
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種中子捕獲治療系統，其特征在于：所述中子捕獲治療系統包括射束入口、中子產生部、鄰接于中子產生部的緩速體、包覆于緩速體外周的反射體、與所述緩速體鄰接的熱中子吸收體、設置在所述射束整形體的輻射屏蔽和射束出口，所述中子產生部與自所述射束入口入射的帶電粒子發生核反應以產生中子，所述緩速體將自所述中子產生部產生的中子減速至超熱中子能區，所述反射體將偏離的中子導回以提高超熱中子的強度，所述反射體由具有中子反射能力強的合金材料制成，所述合金材料含有銻元素，所述熱中子吸收體用于吸收熱中子以避免治療時與淺層正常組織造成過多劑量，所述輻射屏蔽用于屏蔽滲漏的中子和光子以減少非照射區的正常組織劑量。

2.根據權利要求1所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述合金材料對中子的吸收率不大于10％。

3.根據權利要求2所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述合金材料為鉛銻合金材料，所述鉛銻合金中銻元素的質量與整個鉛銻合金元素質量的百分比為3％至8％，所述鉛銻合金材料的密度不小于10.74g/cm³且不大于11.10g/cm³，所述鉛銻合金的布氏硬度不低于5.3HB且不高于7.0HB。

4.根據權利要求3所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述銻元素與鉛銻合金材料總元素的質量百分比為5％。

5.根據權利要求1所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述熱中子吸收體和所述射束出口之間設有空氣通道，所述空氣通道的直徑自熱中子吸收體向射束出口減小而使空氣通道呈錐體狀設置。

6.根據權利要求5所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述錐體狀呈0.3640至1.1918的坡度自熱中子吸收體向射束出口傾斜。

7.根據權利要求6所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述中子產生部嵌設于緩速體內，所述緩速體包括靠近射束入口的柱體部和一端鄰接于柱體部另一端鄰接于熱中子吸收體的錐體部，所述錐體部呈0.5626的坡度自柱體部向熱中子吸收體傾斜。

8.根據權利要求1所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述中子捕獲治系統還包括設于反射體外周的屏蔽部，所述屏蔽部包括用于支撐反射體的支撐件及設置于支撐件中用于對中子進行屏蔽的屏蔽體。

9.根據權利要求8所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：所述屏蔽部包括多個柵元，每個柵元形成一個具有容置空間的芯部，所述屏蔽體設于所述芯部的容置空間內，多個芯部連接形成所述支撐件，所述支撐件為一體成型結構，所述屏蔽體材料澆注設置于所述芯部的容置空間內。

10.根據權利要求9所述的中子捕獲治療系統，其特征在于：規定數量的芯部連接形成的所述支撐件，所述支撐件的外側設有相對設置的頂板、底板以及與頂板、底板連接并圍設于芯部外周的側板，所述規定數量連接的芯部、設于芯部內的屏蔽體、頂板、底板以及側板形成屏蔽體模塊，所述屏蔽體模塊堆疊形成所述屏蔽部，所述屏蔽體材料為鉛，所述芯部、頂板、底板以及側板的材料為低中子吸收截面及低活化材料，所述芯部、頂板、底板以及側板的材料總體積占所述反射體的材料體積的比例小于10％。