[發(fā)明專利]一種半導(dǎo)體激光器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810510712.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-24
• 公開（公告）號(hào): CN108539578B
• 公開（公告）日: 2019-08-13
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車相輝;曹晨濤;趙潤(rùn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第十三研究所
• 主分類號(hào): H01S5/20
• 分類號(hào): H01S5/20;H01S5/34;H01S5/343
• 代理公司: 石家莊國(guó)為知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 13120
• 代理人: 張二群

1.一種半導(dǎo)體激光器，包括：襯底、在襯底上由下至上設(shè)有的緩沖層、N型限制層、下限制層、下波導(dǎo)層、多量子阱，上波導(dǎo)層、上限制層、腐蝕阻擋層、P型限制層和電極接觸層，其特征在于，所述緩沖層和所述N型限制層之間設(shè)有至少兩層擴(kuò)展波導(dǎo)層，所述緩沖層和所述N型限制層之間由下至上設(shè)有上擴(kuò)展波導(dǎo)層和下擴(kuò)展波導(dǎo)層，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層和所述下擴(kuò)展波導(dǎo)層之間設(shè)有用于拉大光場(chǎng)的隔離層。

2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下擴(kuò)展波導(dǎo)層為N型InGaAlAs材料，所述隔離層為N型InP材料，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層為N型InGaAlAs材料。

3.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下擴(kuò)展波導(dǎo)層的厚度為0.1μm～0.2μm，所述隔離層的厚度為0.4μm～0.8μm，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層的厚度為0.1μm～0.2μm。

4.如權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下擴(kuò)展波導(dǎo)層的厚度為0.15μm，所述隔離層的厚度為0.6μm，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層的厚度為0.12μm。

5.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述P型限制層和所述電極接觸層設(shè)置在所述腐蝕阻擋層的縱向中部構(gòu)成脊波導(dǎo)，所述脊波導(dǎo)的寬度為2.5um，深度為1.8um。

6.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下波導(dǎo)層的厚度為0.05μm～0.15μm，所述上波導(dǎo)層的厚度為0.05μm～0.15μm，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層與所述多量子阱之間的距離為1μm～2μm。

7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下波導(dǎo)層的厚度為0.1μm，所述上波導(dǎo)層的厚度為0.1μm，所述上擴(kuò)展波導(dǎo)層與所述多量子阱之間的距離為1.4μm。

8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體激光器，其特征在于，所述下波導(dǎo)層、所述多量子阱和所述上波導(dǎo)層均采用非摻雜的AlGaInAs材料，所述下限制層采用N型AlGaInAs材料。