[發明專利]超大量子點及其形成方法

在審

• 申請號: 201810509698.8
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN108822853A
• 公開（公告）日: 2018-11-16
• 發明（設計）人: 周必泰;周尚威;林鈺旻;蔣勤政;謝佳純
• 申請（專利權）人: 優美特創新材料股份有限公司
• 主分類號: C09K11/88
• 分類號: C09K11/88;C09K11/02;B82Y40/00;B82Y30/00;B82Y20/00
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 汪麗紅

1.一種超大量子點，其特征在于，各所述超大量子點包括：

核，由CdSe所構成；

殼，由ZnS所構成，且所述殼包覆所述核的表面；以及

合金，形成在所述核與所述殼之間，所述合金由Cd、Se、Zn以及S所構成，其中所述Cd與所述Se的含量從所述核到所述殼逐漸減少，所述Zn與所述S的含量從所述核到所述殼逐漸增加，且各所述超大量子點的粒徑大于或等于10納米。

2.如權利要求1所述的超大量子點，其特征在于，所述核的直徑為1納米至4納米，所述合金與所述核的直徑總合為5納米至8納米，且各所述超大量子點的粒徑為10納米至15納米。

3.如權利要求1所述的超大量子點，其特征在于，所述超大量子點能夠在被激發時發光，且其具有等于或大于90％的光致發光量子效率。

4.如權利要求1所述的超大量子點，其特征在于，所述超大量子點能夠在被激發時發光，且其具有90％至95％的光致發光量子效率。

5.如權利要求1所述的超大量子點，其特征在于，各所述超大量子點的所述核能夠吸收固定波長范圍的光源，且發出至少一種不同波長范圍的光。

6.一種超大量子點的形成方法，其特征在于，包括：

將乙酸鋅、氧化鎘、表面活性劑以及溶劑混合在一起，接著進行第一熱處理，以形成第一前驅物，其中所述第一前驅物包括具有所述表面活性劑的鋅-錯合物與具有所述表面活性劑的鎘-錯合物；

將含有S元素、Se元素以及三正辛基膦的第二前驅物加至所述第一前驅物，以形成反應混合物；以及

對所述反應混合物進行第二熱處理，然后冷卻所述反應混合物，以在所述反應混合物中形成所述超大量子點。

7.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，所述表面活性劑包括油酸、三正辛基膦或其組合，所述溶劑包括1-十八烯、油酸、三正辛基膦或其組合。

8.如權利要求7所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，所述第一前驅物包括油酸鋅與油酸鎘。

9.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，所述第一熱處理的溫度為260℃至280℃，而所述第一熱處理的加熱時間為3分鐘至10分鐘。

10.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，所述第二熱處理的溫度為300℃至320℃，而所述第二熱處理的加熱時間為5分鐘至30分鐘。

11.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，基于所述第一前驅物的總量計，所述乙酸鋅的含量為2毫摩爾至15毫摩爾，所述氧化鎘的含量為0.2毫摩爾至5毫摩爾，所述表面活性劑的含量為7毫摩爾至70毫摩爾，所述溶劑的含量為40毫升至50毫升。

12.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，基于所述第二前驅物的總量計，所述S元素的含量為2毫摩爾至12毫摩爾，所述Se元素的含量為0.1毫摩爾至5.0毫摩爾，所述三正辛基膦的含量為5毫升至10毫升。

13.如權利要求6所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，各所述超大量子點包括：

核，由CdSe所構成；

殼，由ZnS所構成，且所述殼包覆所述核的表面；以及

合金，形成在所述核與所述殼之間，所述合金由Cd、Se、Zn以及S所構成，其中所述Cd與所述Se的含量從所述核到所述殼逐漸減少，所述Zn與所述S的含量從所述核到所述殼逐漸增加。

14.如權利要求13所述的超大量子點的形成方法，其特征在于，各所述超大量子點的粒徑大于或等于10納米。