[發(fā)明專利]半導體器件和制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810509610.2
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN109860113B
• 公開（公告）日: 2021-08-24
• 發(fā)明（設計）人: 楊建勛;林立德;黃俊瑞
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L21/8234
• 分類號: H01L21/8234;H01L27/088
• 代理公司: 北京德恒律治知識產(chǎn)權代理有限公司 11409
• 代理人: 章社杲;李偉

本發(fā)明實施例提供了諸如鰭式場效應晶體管的半導體器件及其制造方法。在一些實施例中，在半導體鰭上方形成柵極間隔件并且在鰭上方形成柵極堆疊件。在柵極堆疊件上方形成對柵極間隔件具有較大的選擇性的第一犧牲材料，以及在源極/漏極接觸件上方形成具有較大選擇性的第二犧牲材料。利用蝕刻工藝形成穿過第一犧牲材料和第二犧牲材料的開口，并且用導電材料填充開口。

技術領域

本發(fā)明實施例涉及半導體器件和制造方法。

背景技術

半導體器件用于諸如例如個人電腦、手機、數(shù)碼相機和其他電子設備的各種電子應用中。通常通過在半導體襯底上方依次沉積絕緣或介電層、導電層和半導體材料層以及使用光刻圖案化各個材料層以在各個材料層上形成電路組件和元件來制造半導體器件。

半導體產(chǎn)業(yè)通過不斷減小最小部件尺寸持續(xù)地改進各個電子組件(例如，晶體管、二極管、電阻器、電容器等)的集成密度，這允許更多的組件集成至給定的區(qū)域。然而，隨著最小部件尺寸的減小，出現(xiàn)了應該解決的附加問題。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明的一些實施例，提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在半導體鰭上方形成柵極間隔件；鄰近所述柵極間隔件形成第一柵極堆疊件；在所述半導體鰭上方形成第二柵極堆疊件；在所述第一柵極堆疊件和所述第二柵極堆疊件上方形成第一犧牲材料，其中，所述第一犧牲材料對所述柵極間隔件具有大于12的蝕刻選擇性；在所述第一柵極堆疊件和所述第二柵極堆疊件之間以及所述第一柵極堆疊件上方的所述第一犧牲材料和所述第二柵極堆疊件上方的所述第一犧牲材料之間的區(qū)域內(nèi)放置第一導電材料和第二犧牲材料，其中，所述第二犧牲材料與所述第一犧牲材料不同并且對所述柵極間隔件具有大于12的蝕刻選擇性；穿過所述第一犧牲材料蝕刻第一開口；以及穿過所述第二犧牲材料蝕刻第二開口。

根據(jù)本發(fā)明的另一些實施例，還提供了一種制造半導體器件的方法，所述方法包括：在襯底上方的第一犧牲材料上方放置第一光刻膠；形成穿過所述第一犧牲材料的第一部分的第一開口以暴露柵極堆疊件上方的覆蓋層并且以暴露柵極間隔件的側壁，其中，所述柵極間隔件和所述第一犧牲材料在形成所述第一開口期間具有大于12的蝕刻選擇性；在第二犧牲材料上方放置第二光刻膠，其中，所述第二犧牲材料和所述柵極間隔件具有大于12的蝕刻選擇性；形成至少部分地穿過所述第二犧牲材料的第二開口；在停止形成所述第二開口之后，所述第二開口延伸穿過所述第二犧牲材料以暴露源極/漏極接觸件；以及用導電材料填充所述第一開口和所述第二開口。

根據(jù)本發(fā)明的又一些實施例，還提供了一種半導體器件，包括：柵極堆疊件；覆蓋層，位于所述柵極堆疊件上方；第一犧牲層，位于所述覆蓋層上方；柵極接觸件，延伸穿過所述第一犧牲層并且與所述覆蓋層物理接觸；第一間隔件，鄰近所述柵極堆疊件、所述覆蓋層和所述柵極接觸件的每個并且與所述柵極堆疊件、所述覆蓋層和所述柵極接觸件的每個物理接觸；源極/漏極接觸件，鄰近所述第一間隔件；第二犧牲層，位于所述源極/漏極接觸件上方，所述第二犧牲層與所述第一犧牲層不同；以及源極/漏極接觸插塞，延伸穿過第二犧牲層并且與源極/漏極接觸件物理接觸。

附圖說明

當結合附圖進行閱讀時，從以下詳細描述可最佳理解本發(fā)明的各個方面。應該指出，根據(jù)工業(yè)中的標準實踐，各個部件未按比例繪制。實際上，為了清楚的討論，各個部件的尺寸可以任意地增大或減小。

圖1示出了根據(jù)一些實施例的柵極堆疊件的形成。

圖2示出了根據(jù)一些實施例的第一犧牲材料的形成。

圖3A至圖3B示出了根據(jù)一些實施例的用于接觸端切割的層的形成。

圖4示出了根據(jù)一些實施例的層的圖案化。

圖5示出了根據(jù)一些實施例的層間電介質的去除。

圖6示出了根據(jù)一些實施例的第一接觸材料的形成。

圖7示出了根據(jù)一些實施例的圖案化工藝。