[發明專利]復合介質層的刻蝕方法以及復合介質層

有效

• 申請號: 201810507777.5
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN110534402B
• 公開（公告）日: 2022-06-14
• 發明（設計）人: 劉珂;陳國動;朱海云
• 申請（專利權）人: 北京北方華創微電子裝備有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/311
• 代理公司: 北京天昊聯合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;姜春咸

1.一種復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，所述復合介質層包括層疊設置在多晶硅上的氧化硅層和氮化硅層，其中，所述氮化硅層位于所述氧化硅層的上方；刻蝕方法包括：

S110、向刻蝕腔室提供預設總流量的刻蝕氣體，所述刻蝕氣體包括氟化的碳氫化合物氣體和抑制類氣體的混合氣體，并且，所述氟化的碳氫化合物氣體具有預設的第一流量，所述抑制類氣體具有預設的第二流量；其中，所述氟化的碳氫化合物氣體滿足CH_xF_y，x和y均為大于等于1的正整數，且x+y＝4；

S120、將所述刻蝕氣體電離以形成刻蝕等離子體；

S130、利用所述刻蝕等離子體，在預設的刻蝕參數下，對所述復合介質層進行一次刻蝕工藝，以在所述氮化硅層上形成刻蝕通孔，以暴露出所述氧化硅層，并且，對該暴露出的所述氧化硅層進行減薄；其中，

在步驟S130中，基于步驟S110中的所述氟化的碳氫化合物氣體的預設的第一流量以及所述抑制類氣體的預設的第二流量的不同，用于控制所述氮化硅層對所述氧化硅層具有不同的選擇比。

2.根據權利要求1所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，所述氟化的碳氫化合物氣體包括CH₂F₂和/或CHF₃氣體。

3.根據權利要求1所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，所述抑制類氣體包括O₂、N₂和Ar₂中的至少一者，所述抑制類氣體用于控制刻蝕速率。

4.根據權利要求1至3中任意一項所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，

所述刻蝕氣體的預設總流量范圍為10sccm～500sccm；

所述預設的第一流量范圍為5sccm～200sccm；

所述預設的第二流量范圍為5sccm～300sccm。

5.根據權利要求4所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，

所述刻蝕氣體的預設總流量范圍為200sccm～400sccm；

所述預設的第一流量范圍為100sccm～200sccm；

所述預設的第二流量范圍為100sccm～200sccm。

6.根據權利要求1至3中任意一項所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕參數包括：

刻蝕腔室的真空度范圍為0mTorr～300mTorr；

上電極的射頻頻率為13.56Mhz；

上電極的射頻功率范圍為50W～3000W；

靜電卡盤的溫度范圍為20℃～100℃。

7.根據權利要求6所述的復合介質層的刻蝕方法，其特征在于，所述刻蝕參數包括：

刻蝕腔室的真空度范圍為5mTorr～200mTorr；

上電極的射頻功率范圍為600W～900W；

靜電卡盤的溫度范圍為40℃～80℃。

8.一種復合介質層，其特征在于，所述復合介質層采用權利要求1至7中任意一項所述的刻蝕方法刻蝕形成。