[發(fā)明專利]晶圓對準方法及晶圓對準裝置在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810505557.9 | 申請日： | 2018-05-24 |
| 公開（公告）號： | CN108735645A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發(fā)明（設計）人： | 張黨柱;賴政聰;古哲安;黃志凱;葉日銓 | 申請（專利權）人： | 德淮半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/68 | 分類號： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海盈盛知識產(chǎn)權代理事務所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孫佳胤;董琳 |
| 地址： | 223300 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 缺口標記 晶圓 測量位置 對準標記 對準 對準裝置 計算位置 位置偏差 校準位置 種晶 相對位置關系 操作過程 光刻工藝 晶圓邊緣 晶圓表面 校準 搜索 | ||
1.一種晶圓對準方法，其特征在于，包括：
提供一晶圓，所述晶圓邊緣具有缺口標記，晶圓表面具有對準標記；
獲取所述缺口標記的測量位置；
獲取所述對準標記的測量位置；
根據(jù)所述對準標記與缺口標記之間的相對位置關系以及所述對準標記的測量位置，計算得到所述缺口標記的計算位置；
獲取所述缺口標記的計算位置與測量位置之間的位置偏差；
在后續(xù)光刻工藝的對準操作過程中，通過所述位置偏差對缺口標記的測量位置進行校準，形成缺口標記的校準位置；
以所述校準位置確定對準標記的搜索范圍。
2.根據(jù)權利要求1所述的晶圓對準方法，其特征在于，所述晶圓為經(jīng)過第一道光刻刻蝕工藝的晶圓。
3.根據(jù)權利要求2所述的晶圓對準方法，其特征在于，所述第一道光刻刻蝕工藝過程中，確定晶圓的缺口標記位置后，直接進行曝光，將對準標記曝光于晶圓表面，所述對準標記與缺口標記之間的相對位置關系確定。
4.根據(jù)權利要求1所述的晶圓對準方法，其特征在于，在第二道光刻工藝的對準操作過程中，獲取所述位置偏差。
5.一種晶圓對準裝置，其特征在于，包括：
旋轉基臺，用于放置晶圓；
邊緣檢測單元，設置于所述旋轉基臺一側，用于獲取晶圓邊緣的缺口標記的測量位置；
標記搜索單元，與所述邊緣檢測單元連接，用于搜索并獲取晶圓表面的對準標記的測量位置；
計算單元，與所述邊緣檢測單元和標記搜索單元連接，用于根據(jù)所述對準標記與缺口標記之間的相對位置關系以及所述對準標記的測量位置，計算得到所述缺口標記的計算位置，并獲取所述缺口標記的計算位置與測量位置之間的位置偏差；
校準單元，與所述計算單元連接，用于通過所述位置偏差對邊緣檢測單元獲取的缺口標記的測量位置進行校準，形成缺口標記的校準位置；
控制單元，與所述校準單元連接，用于在所述校準單元形成缺口標記的校準位置之后，根據(jù)所述缺口標記的校準位置，控制所述標記搜索單元搜索對準標記時的搜索范圍。
6.根據(jù)權利要求5所述的晶圓對準裝置，其特征在于，所述對準標記與缺口標記之間的相對位置關系確定。
7.根據(jù)權利要求5所述的晶圓對準裝置，其特征在于，所述計算單元用于在進行第二道光刻工藝的對準操作過程中，獲取所述位置偏差。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
