[發明專利]圖像傳感器及其形成方法

有效

• 申請號: 201810505092.7
• 申請日: 2018-05-24
• 公開（公告）號: CN108807437B
• 公開（公告）日: 2020-12-18
• 發明（設計）人: 何延強;林宗德;黃仁德;李曉明;何玉坤
• 申請（專利權）人: 德淮半導體有限公司
• 主分類號: H01L27/146
• 分類號: H01L27/146
• 代理公司: 北京市一法律師事務所 11654
• 代理人: 劉榮娟

1.一種圖像傳感器的形成方法，其特征在于，包括：

提供半導體襯底，所述半導體襯底分為第一區域和第二區域，所述第一區域和第二區域的半導體襯底內分別形成有光電器件，所述第一區域的光電器件吸收的光的波長大于所述第二區域的光電器件吸收的光的波長；

刻蝕所述半導體襯底形成臺階狀表面，所述第一區域的半導體襯底表面高于所述第二區域的半導體襯底表面；

在所述臺階狀表面上形成介質層；

在所述介質層上形成平坦化層，所述平坦化層與所述第一區域的半導體襯底上的介質層齊平；

在所述平坦化層和第一區域的半導體襯底上的介質層上形成底部抗反射涂層；

依次刻蝕所述平坦化層、介質層和半導體襯底，在所述平坦化層、介質層和半導體襯底內形成淺溝槽；

在所述半導體襯底內的淺溝槽側壁和底部形成氧化層；

在所述淺溝槽內填滿絕緣介質；

去除所述平坦化層和部分絕緣介質。

2.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述第二區域分為第一第二區域和第二第二區域，所述第一第二區域的光電器件吸收的光的波長大于所述第二第二區域的光電器件吸收的光的波長；所述臺階狀表面從高至低依次包括第一區域的半導體襯底表面、第一第二區域的半導體襯底表面和第二第二區域的半導體襯底表面。

3.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述介質層的材料為氮化硅。

4.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，在形成所述介質層之前，還包括：在所述臺階狀表面形成襯墊氧化層。

5.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述臺階狀表面的高度差為0.1μm～0.4μm。

6.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述臺階狀表面的斜面與底面的夾角為30°～60°。

7.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，所述平坦化層的材料為旋涂玻璃或正硅酸乙酯，或者，所述平坦化層為旋涂玻璃和正硅酸乙酯的疊層。

8.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，在形成底部抗反射涂層之前，還包括：在所述平坦化層和第一區域的半導體襯底上的介質層表面形成硬掩膜層。

9.如權利要求1所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，去除所述平坦化層和部分絕緣介質后，還包括：

去除所述介質層；

在所述半導體襯底上及所述半導體襯底內形成器件結構；

在所述器件結構上形成層間介質層，在所述層間介質層內形成導電結構。

10.如權利要求9所述的圖像傳感器的形成方法，其特征在于，采用退火工藝去除所述介質層。