[發(fā)明專利]氣隙式薄膜體聲波諧振器及其制造方法

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810503898.2
• 申請(qǐng)日: 2018-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN109560789A
• 公開(kāi)（公告）日: 2019-04-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 崔桓準(zhǔn)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天津威盛電子有限公司
• 主分類號(hào): H03H9/17
• 分類號(hào): H03H9/17;H03H3/02
• 代理公司: 北京市隆安律師事務(wù)所 11323
• 代理人: 權(quán)鮮枝

1.一種氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，包括：

襯底，其包括在其頂面中的空氣間隙部分；

形成在所述襯底上的下電極；

形成在所述下電極上的壓電層；和

形成在所述壓電層上的上電極，

其中所述下電極包括：

與所述襯底中的所述空氣間隙部分間隔開(kāi)地形成的第一下電極；和

通過(guò)僅包圍所述空氣間隙部分的頂部的一部分地沉積而形成在所述襯底上的與所述第一下電極分離并且包括所述空氣間隙部分的非沉積區(qū)域的第二下電極。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述非沉積區(qū)域是與所述空氣間隙部分的間隙邊緣和所述第二下電極的電極邊緣之間的分離距離相對(duì)應(yīng)的區(qū)域。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述壓電層包括通道部分，所述通道部分具有形成在所述非沉積區(qū)域附近的在所述下電極和所述上電極之間的空氣空間。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述通道部分包括通過(guò)暴露所述下電極的上部和所述上電極的下部而形成的完整空氣空間。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述通道部分包括暴露所述上電極的下部而不暴露所述下電極的上部的部分空氣空間。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述通道部分被形成為允許從形成所述空氣空間的一側(cè)的通道邊界屏障延伸的垂直表面或虛擬垂直表面與所述襯底或所述空氣間隙部分的非沉積區(qū)域相接。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述通道部分包括由彼此相接的所述垂直表面或所述虛擬垂直表面和所述襯底形成的并且位于所述第一下電極的電極邊緣和空氣間隙部分的間隙邊緣之間的第一虛擬線段。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR，其中所述通道部分包括由彼此相接的所述垂直表面或所述虛擬垂直表面和所述非沉積區(qū)域形成的并且位于所述空氣間隙部分的間隙邊緣和所述第二下電極的電極邊緣之間的第二虛擬線段。

9.一種制造氣隙式薄膜體聲波諧振器FBAR的方法，包括：

在襯底的頂面中形成腔體，然后在所述腔體上形成第一犧牲層；

在其上形成有所述第一犧牲層的所述襯底上形成下電極；

在所述下電極上形成壓電層；

在所述壓電層上形成上電極；和

通過(guò)去除所述第一犧牲層形成與所述腔體相對(duì)應(yīng)的空氣間隙部分，

其中形成所述下電極包括在所述襯底的與所述空氣間隙部分間隔開(kāi)的區(qū)域中形成第一下電極和通過(guò)僅包圍所述空氣間隙部分的頂部的一部分地沉積而在所述襯底上形成與所述第一下電極分離并且包括關(guān)于所述空氣間隙部分的非沉積區(qū)域的第二下電極。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，還包括：

在形成所述壓電層之后，通過(guò)蝕刻所述壓電層以暴露在所述非沉積區(qū)域附近的所述上電極和所述下電極之間的空間，形成具有空氣空間的通道部分；和

在所述通道部分上形成第二犧牲層，

其中在其上形成有所述第二犧牲層的所述壓電層上形成所述上電極，然后去除所述第一犧牲層和所述第二犧牲層。

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述通道部分的形成包括通過(guò)暴露所述下電極的上部和所述上電極的下部來(lái)形成完整空氣空間。

12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其中所述通道部分的形成包括形成暴露所述上電極的下部而不暴露所述下電極的上部的部分空氣空間。