[發(fā)明專(zhuān)利]腔室內(nèi)襯、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810500593.6
• 申請(qǐng)日: 2018-05-23
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN110534391B
• 公開(kāi)（公告）日: 2022-04-22
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 高志民
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 分類(lèi)號(hào): H01J37/32
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 彭瑞欣;張?zhí)焓?/td>

本發(fā)明涉及一種腔室內(nèi)襯，包括：沿腔室軸線且由頂部至底部的方向上依次設(shè)置的主通氣板和至少一個(gè)子通氣板，其中，所述主通氣板和所述子通氣板均包括擋部和通氣口，其中一個(gè)通氣板的所述通氣口被其余至少一個(gè)通氣板的所述擋部遮擋，且相鄰兩個(gè)通氣板之間均形成氣體流通空間。本發(fā)明還提供一種反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，可以很好地減少等離子體自?xún)?nèi)襯的通氣口跑出對(duì)其他零部件進(jìn)行刻蝕，還可以防止刻蝕產(chǎn)生的顆粒經(jīng)過(guò)該通氣口進(jìn)入工藝空間影響工藝。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明屬于半導(dǎo)體設(shè)備制造技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種腔室內(nèi)襯、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備。

背景技術(shù)

等離子裝置廣泛地應(yīng)用于集成電路(IC)或MEMS器件的制造工藝中，其中最廣泛的等離子體裝置是電感耦合等離子體(ICP)裝置。等離子體中含有大量的電子、離子、激發(fā)態(tài)的原子、分子和自由基等活性粒子，這些活性粒子和硅片相互作用使材料表面發(fā)生各種物理和化學(xué)反應(yīng),從而使材料表面性能獲得變化。

目前，現(xiàn)有的等離子腔室包括：腔體、進(jìn)氣裝置、等離子體產(chǎn)生裝置、內(nèi)襯、基座和排氣裝置。其中，內(nèi)襯設(shè)置在腔體內(nèi)，在腔體上半部分形成工藝空間，內(nèi)襯上設(shè)置有通氣口；進(jìn)氣裝置用于向工藝空間內(nèi)輸送氣體；基座設(shè)置在腔體內(nèi)，用于承載基片，基片位于工藝空間內(nèi)；等離子體產(chǎn)生裝置用于將工藝氣體激發(fā)形成等離子體，等離子體對(duì)基片進(jìn)行刻蝕工藝；排氣裝置用于將工藝空間內(nèi)的氣體自通氣口排出腔體。

現(xiàn)有的等離子體腔室在實(shí)際應(yīng)用中存在以下問(wèn)題：內(nèi)襯在一定程度上將等離子體在工藝空間內(nèi)，但是仍然有一部分等離子體會(huì)從內(nèi)襯上的通氣口進(jìn)入腔體的下半部分，從而會(huì)對(duì)腔體下半部分內(nèi)的零部件造成刻蝕，不僅影響這些零部件的壽命，而且還會(huì)產(chǎn)生顆粒，這些顆?？赡軙?huì)有部分顆粒進(jìn)入至工藝空間內(nèi)落在基片上形成刻蝕掩膜，影響原有光刻圖形轉(zhuǎn)移，從而產(chǎn)生partial etch，降低產(chǎn)品良率。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問(wèn)題之一，提出了一種腔室內(nèi)襯、反應(yīng)腔室及半導(dǎo)體加工設(shè)備，可以很好地減少等離子體自?xún)?nèi)襯的通氣口跑出對(duì)其他零部件進(jìn)行刻蝕，還可以防止刻蝕產(chǎn)生的顆粒經(jīng)過(guò)該通氣口進(jìn)入工藝空間影響工藝。

為解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種腔室內(nèi)襯，包括：沿腔室軸線且由頂部至底部的方向上依次設(shè)置的主通氣板和至少一個(gè)子通氣板，其中，

所述主通氣板和所述子通氣板均包括擋部和通氣口，其中一個(gè)通氣板的所述通氣口被其余至少一個(gè)通氣板的所述擋部遮擋，且相鄰兩個(gè)通氣板之間均形成氣體流通空間。

優(yōu)選地，包括：主通氣板和一個(gè)子通氣板，所述通氣口為長(zhǎng)條形通氣口；

所述主通氣板的所述通氣口在朝向所述子通氣板的一端具有第一邊緣線，所述子通氣板的與所述主通氣板的該通氣口的第一邊緣線相鄰的所述通氣口，在朝向所述主通氣板的一端分別具有相對(duì)的第二邊緣線和第三邊緣線；

所述第一邊緣線和所述第二邊緣線所在的平面與所述子通氣板所在的平面形成的夾角大于30°，所述第一邊緣線和所述第三邊緣線所在的平面與所述子通氣板所在的平面形成的夾角小于45°。

優(yōu)選地，所述通氣口的寬度T的范圍在1mm～6mm；相鄰兩個(gè)所述通氣板之間在所述腔室軸向上的距離≥0.5T。

優(yōu)選地，每個(gè)所述通氣口的深度范圍均在5mm～15mm。

優(yōu)選地，所述通氣口的寬度T、任意一個(gè)通氣板的相鄰兩個(gè)所述通氣口的軸線之間的距離L2、相鄰兩個(gè)所述通氣板之間在所述腔室軸向上的距離H，三者滿(mǎn)足以下關(guān)系：

優(yōu)選地，所述主通氣板為環(huán)狀平板結(jié)構(gòu)，所述子通氣板為環(huán)狀凹槽結(jié)構(gòu)。

優(yōu)選地，所述主通氣板和所述子通氣板均包括多個(gè)所述通氣口；