[發明專利]顯示裝置有效

申請號：	201810499468.8	申請日：	2018-05-23
公開（公告）號：	CN109659423B	公開（公告）日：	2021-02-09
發明（設計）人：	林俊賢;張耕輔;柯瑞峰;謝朝樺;郭書銘	申請（專利權）人：	群創光電股份有限公司
主分類號：	H01L33/58	分類號：	H01L33/58
代理公司：	上海專利商標事務所有限公司 31100	代理人：	駱希聰
地址：	中國臺灣新竹科學工***	國省代碼：	臺灣;71
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摘要：
搜索關鍵詞：	顯示裝置
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【說明書】：

本公開提供一種顯示裝置，包括：多個像素，且其中至少一像素包括：一半導體裝置，具有一發光區；一第一光轉換層，設置于半導體裝置上；以及一第一散射層，設置于半導體裝置上，其中第一散射層設置于第一光轉換層上。

技術領域

本公開有關于一種顯示裝置，特別有關于具有散射層的顯示裝置。

背景技術

智能手機、平板電腦、筆記本電腦、顯示器及電視等具有顯示面板的電子裝置已成為現代社會不可或缺的必需品。隨著這類可攜式電子產品的蓬勃發展，消費者對于這類產品的品質、功能及價格等有更高的期望。

以氮化鎵(GaN)為基礎的發光二極管(LED)被預期將用于未來的高效照明應用中，取代白熾燈及螢光燈。以GaN為基礎的LED裝置通常是借由異質磊晶生長技術(heteroepitaxial growth technique)于基底材料上進行制備。一般的晶圓級LED裝置結構可包含形成于藍寶石基底、單量子井(single quantum wel，SQW)或多重量子井(multiple quantum well，MQW)上的n摻雜的GaN下層以及p摻雜的GaN上層。

微型LED(Micro LED)技術為一種新興的平板顯示技術，微型LED顯示器可驅動定址的微型LED的陣列。在目前的制造方法中，通常會于光轉換層中加入具有高反射系數的納米或亞微米(submicron)粒子，以提高光轉換層中的量子點(quantum dot)材料的光吸收效率或散射效率等。一般而言，高反射系數粒子是以與量子點材料均勻混合的形式添加于光轉換層中，然而，高濃度的高反射系數粒子的添加，使得量子點材料的濃度相對降低，因而可能造成光轉換層的結構弱化。此外，在包含多個像素的顯示陣列中，各個像素之間常存在許多變異，例如，各個像素中的LED的發光強度或發射的光的波長可能不同等。

因此，發展出可有效地改善顯示裝置的光提取效率與像素的一致性的結構設計，乃目前業界所致力的課題之一。

發明內容

在一些實施例中，本公開提供一種顯示裝置，包括：多個像素，且其中至少一像素包括：一半導體裝置，具有一發光區；一第一光轉換層，設置于該半導體裝置上；以及一第一散射層，設置于該半導體裝置上，其中該第一散射層設置于該第一光轉換層上。

在一些實施例中，本公開提供一種顯示裝置，包括：一種顯示裝置，其特征在于，包括：一基板；多個像素，設置于該基板上，且其中至少一像素包括：一半導體裝置，具有一發光元件；一第一光轉換層，設置于該半導體裝置上；以及一第一散射層，設置于該半導體裝置上，其中該第一散射層設置于該第一光轉換層上。

附圖說明

為讓本發明的上述目的、特征和優點能更明顯易懂，以下結合附圖對本發明的具體實施方式作詳細說明，其中：

圖1A～1F顯示根據本公開一些實施例中，顯示裝置的結構剖面示意圖；

圖2A～2D顯示根據本公開一些實施例中，顯示裝置的結構剖面示意圖；

圖3顯示根據本公開一些實施例中，顯示裝置的半導體裝置的電路示意圖；

圖4A至4C顯示根據本公開一些實施例中，顯示裝置的制造方法的示意圖。

符號說明：

10A～10F、20A～20D 顯示裝置；