[發明專利]一種部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管

在審

• 申請號: 201810496680.9
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108711578A
• 公開（公告）日: 2018-10-26
• 發明（設計）人: 鄭雪峰;馬曉華;白丹丹;吉鵬;王士輝;李綱;董帥;郝躍
• 申請（專利權）人: 西安電子科技大學
• 主分類號: H01L29/06
• 分類號: H01L29/06;H01L29/20;H01L29/417;H01L29/872;H01L21/329
• 代理公司: 西安嘉思特知識產權代理事務所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，包括：

襯底層(201)，

所述襯底層(201)上的緩沖層(202)，

所述緩沖層(202)上的溝道層(203)，

所述溝道層(203)上的勢壘層(204)，

所述勢壘層(204)兩端的陰極和復合陽極，

與所述復合陽極相連且位于所述勢壘層上的部分P型GaN帽層(206)，

覆蓋在所述勢壘層(204)、所述部分P型GaN帽層(206)、所述復合陽極、所述陰極上的鈍化層(211)，

其中，所述溝道層(203)與所述勢壘層(204)形成異質結，所述P型GaN帽層(206)與所述勢壘層(204)形成PN結，所述陰極為陰極歐姆接觸(207)，所述復合陽極包括陽極歐姆接觸(208)和陽極肖特基接觸(210)。

2.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述部分P型GaN帽層(206)的長度不超過所述陰極歐姆接觸(207)與所述復合陽極之間距離的一半。

3.如權利要求1所述的P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述部分P型GaN帽層(206)的摻雜濃度為1×10¹⁶cm^-3～1×10¹⁸cm^-3。

4.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陽極肖特基接觸(210)為凹槽結構(209)。

5.權利要求4所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述凹槽結構(209)形成于所述勢壘層(204)結構上。

6.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述襯底層(201)包括藍寶石、Si、SiC、AlN、GaN、AlGaN中的一種或多種。

7.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述緩沖層(202)、所述溝道層(203)、所述勢壘層(204)均包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的一種或多種。

8.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述鈍化層(211)包括SiN_x、Al₂O₃、AlN、Y₂O₃、La₂O₃、Ta₂O₅、TiO₂、HfO₂、ZrO₂中的一種或多種。

9.如權利要求1所述的部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陰極歐姆接觸(207)和所述陽極歐姆接觸(208)的電極材料均為金屬合金材料。

10.如權利要求1所述的層部分P型GaN帽層RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陽極肖特基接觸(210)電極材料為功函數范圍為4.6eV-6eV的金屬合金材料。