[發(fā)明專利]基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201810494815.8
• 申請日: 2018-05-22
• 公開（公告）號: CN108682625A
• 公開（公告）日: 2018-10-19
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭雪峰;白丹丹;王士輝;吉鵬;李綱;董帥;馬曉華;郝躍
• 申請（專利權(quán)）人: 西安電子科技大學(xué)
• 主分類號: H01L21/285
• 分類號: H01L21/285;H01L29/06;H01L29/20;H01L29/47;H01L21/329;H01L29/872
• 代理公司: 西安嘉思特知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 61230
• 代理人: 王海棟

1.一種基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，包括：

襯底層(201)，

所述襯底層(201)上的緩沖層(202)，

所述緩沖層(202)上的溝道層(203)，

所述溝道層(203)上的勢壘層(204)，

所述勢壘層(204)兩端的陰極和復(fù)合陽極，

與所述復(fù)合陽極相連且位于所述勢壘層(204)上的P型GaN帽層(206)，

與所述復(fù)合陽極相連且位于所述P型GaN帽層(206)上的基極(211)，

覆蓋在所述勢壘層(204)、所述P型GaN帽層(206)、所述基極(211)、所述復(fù)合陽極、所述陰極上的鈍化層(212)，

其中，所述陰極為陰極歐姆接觸(207)，所述復(fù)合陽極包括陽極歐姆接觸(208)和陽極肖特基接觸(210)。

2.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述P型GaN帽層(206)的長度不超過所述陰極歐姆接觸(207)與所述復(fù)合陽極之間距離的一半。

3.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述P型GaN帽層(206)的摻雜濃度為1×10¹⁶cm^-3～1×10¹⁸cm^-3。

4.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述基極(211)的長度不超過所述P型GaN帽層(206)的長度。

5.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陽極肖特基接觸(210)為凹槽結(jié)構(gòu)(209)。

6.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述襯底層(201)包括藍(lán)寶石、Si、SiC、AlN、GaN、AlGaN中的一種或多種。

7.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述緩沖層(202)、所述溝道層(203)、所述勢壘層(204)均包括GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN中的一種或多種。

8.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述鈍化層(212)包括SiN_x、Al₂O₃、AlN、Y₂O₃、La₂O₃、Ta₂O₅、TiO₂、HfO₂、ZrO₂中的一種或多種。

9.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陰極歐姆接觸(207)和所述陽極歐姆接觸(208)的電極材料均為金屬合金材料。

10.如權(quán)利要求1所述的基于場板和P型GaN帽層的RESURF GaN基肖特基勢壘二極管，其特征在于，所述陽極肖特基接觸(210)電極材料為功函數(shù)范圍為4.6eV-6eV的金屬合金材料。