[發明專利]一種內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器在審
| 申請號： | 201810493883.2 | 申請日： | 2018-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN108736837A | 公開（公告）日： | 2018-11-02 |
| 發明（設計）人： | 劉明;李寶騏;潘兆琳 | 申請（專利權）人： | 上海磐啟微電子有限公司 |
| 主分類號： | H03F1/26 | 分類號： | H03F1/26;H03F3/195;H03F3/45;H04B1/10 |
| 代理公司： | 上海旭誠知識產權代理有限公司 31220 | 代理人： | 鄭立 |
| 地址： | 201210 上海市浦東新區中國（上海）自由*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 第二級放大電路 放大電路 匹配電路 第一級 低噪聲放大器 輸入匹配電路 輸出負載 輸出結構 單端 內置 轉差 傳統結構 射頻通訊 靈敏度 輸入帶 流片 驗證 節約 外部 | ||
1.一種內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，包括輸入匹配電路和輸出負載匹配電路，其特征在于，還包括相互連接的第一級放大電路和第二級放大電路，所述輸入匹配電路與所述第一級放大電路連接，所述第一級放大電路與所述第二級放大電路連接，所述第二級放大電路與所述輸出負載匹配電路連接。
2.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一級放大電路包括一NMOS晶體管M1和一NMOS晶體管M2，所述NMOS晶體管M1放大天線信號，其漏極信號和柵極信號相差180°；所述NMOS晶體管M1的漏極通過隔直電容C3連接NMOS晶體管M2柵極，完成單端轉雙端的功能。
3.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二級放大電路包括一NMOS晶體管M3和一NMOS晶體管M4，所述NMOS晶體管M1的漏極連接NMOS晶體管M3的源極，NMOS晶體管M2的漏極連接NMOS晶體管M4的源極。
4.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述輸入匹配電路包括一電容C1和一電感L1，所述第一級放大電路的NMOS晶體管M1柵極連接所述電容C1和電感L1，電容C1的一端與所述電感L1和所述NMOS晶體管M1的柵極相連，電容C1的另一端與地連接。
5.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述輸出負載匹配電路包括一電容C2和一電感L2，所述電容C2與所述電感L2并聯連接。
6.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述第一級放大電路為共源放大電路。
7.如權利要求1所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述第二級放大電路為共柵放大電路。
8.如權利要求5所述的內置單端輸入轉差分輸出結構的低噪聲放大器，其特征在于，所述電容C2與所述電感L2為串聯連接。
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