[發明專利]一種低成本的MWT太陽能電池正電極的制備方法有效
| 申請號： | 201810492791.2 | 申請日： | 2018-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN108682699B | 公開（公告）日： | 2021-06-08 |
| 發明（設計）人： | 李質磊;吳仕梁;路忠林;盛雯婷;張鳳鳴 | 申請（專利權）人： | 江蘇日托光伏科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京蘇高專利商標事務所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 李玉平 |
| 地址： | 214028 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 低成本 mwt 太陽能電池 電極 制備 方法 | ||
1.一種MWT太陽能電池的制備方法，其特征在于，包括如下步驟：
(1)硅片：采用太陽能級P型單晶或多晶硅片作為襯底；
(2)激光打孔：在硅片上激光開孔，孔洞為N×N的陣列，孔洞形狀為圓形、方形或錐形，其中N≥5，激光打孔的孔徑在100-400μm；
(3)制絨：使用現有常規化學清洗和織構化方法進行制絨，形成光陷阱表面；
(4)擴散：在絨面上使用POCl3擴散源進行高溫單面擴散，形成PN結；
(5)掩膜：在硅片背表面，制備直徑1-10mm、厚度1-50μm的圓形有機掩膜，制備方法為絲網印刷或噴墨打印法；
(6)刻蝕：使用化學溶液進行刻蝕，去除硅片周邊及背面多余的PN結，清洗有機掩膜，去除擴散后硅襯底表面的磷硅玻璃；
(7)鍍膜：使用PECVD設備制備氮化硅減反膜，減反膜覆蓋正電極及擴散面；
(8)背面電極制備：采用MWT填孔銀漿，其中采用250目、線經30μm、紗厚60μm、正電極區膜厚5μm、負電極區膜厚20μm的分區不同膜厚設計的網版，一次印刷制備MWT背面電極；
(9)鋁背場制備：在MWT背面制備鋁背場；
(10)正電極制備：采用常規正面銀漿，通過絲網印刷方式在硅片擴散面制備正電極；
(11)燒結：在鏈式爐中進行烘干和燒結，形成正面電極歐姆接觸及形成背電場。
2.如權利要求1所述的MWT太陽能電池的制備方法，其特征在于：多個所述正電極區的寬度相等。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
