[發(fā)明專利]一種晶圓濕法刻蝕系統(tǒng)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810491385.4 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN108682639B | 公開(公告)日: | 2020-09-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳濤;王康 | 申請(專利權(quán))人: | 江蘇明芯微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/677;H01L21/683 |
| 代理公司: | 廣州高炬知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44376 | 代理人: | 鄭為光 |
| 地址: | 226634 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 濕法 刻蝕 系統(tǒng) | ||
本發(fā)明屬于濕法刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,具體的說是一種晶圓濕法刻蝕系統(tǒng),包括移動模塊、抓取模塊、一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽、三號反應(yīng)槽和儲料筒,反應(yīng)倉內(nèi)壁底表面固定安裝有一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和三號反應(yīng)槽;移動模塊固定安裝在反應(yīng)倉內(nèi)壁的側(cè)表面頂部;抓取模塊安裝在移動模塊上,儲料筒用于存放晶圓;抓取模塊用于對儲料筒進(jìn)行抓取;儲料筒從進(jìn)料門輸送至反應(yīng)倉中;移動模塊通過與抓取模塊配合將儲料筒中的晶圓,依次放入三號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和一號反應(yīng)槽中刻蝕;最后儲料筒中的晶圓通過出料門被取出;本發(fā)明主要用于對晶圓進(jìn)行刻蝕,能夠提高刻蝕液的使用效率,能夠?qū)A進(jìn)行批量化刻蝕,提高了刻蝕效率。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于濕法刻蝕技術(shù)領(lǐng)域,具體的說是一種晶圓濕法刻蝕系統(tǒng)。
背景技術(shù)
半導(dǎo)體制造技術(shù)中經(jīng)常會用到各種刻蝕工藝,其中濕法刻蝕工藝主要是采用反應(yīng)液對刻蝕物進(jìn)行去除的刻蝕技術(shù),具體為通過反應(yīng)液與刻蝕物進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),使刻蝕物部分脫離晶圓表面,這樣在晶圓上得到了所需要的表面。但是,晶圓的批量化生產(chǎn)中需要消耗大量的刻蝕液,如果能夠?qū)涛g液的利用進(jìn)行改進(jìn),則能夠提高生產(chǎn)成本。
現(xiàn)有技術(shù)中也出現(xiàn)了一些濕法刻蝕裝置的技術(shù)方案,如申請?zhí)枮?01420593668.7的一項(xiàng)中國專利公開了一種濕法刻蝕裝置,所述裝置至少包括:腐蝕槽以及至少兩個過濾器;所述腐蝕槽與每個過濾器通過第一、第二管道連接;所述第一、第二管道上分別對應(yīng)設(shè)有第一、第二閥門;所述第一閥門與所述過濾器之間設(shè)有與所述第一管道相通的進(jìn)液管;所述第二閥門與所述過濾器之間設(shè)有與所述第二管道相通的出液管。該技術(shù)方案雖然能夠延長腐蝕槽的使用壽命,但是,該技術(shù)方案不能提高刻蝕液的使用效率,造成了成本的浪費(fèi),同時,該方案不能實(shí)現(xiàn)批量化自動生產(chǎn);使得該發(fā)明受到了限制。
發(fā)明內(nèi)容
為了彌補(bǔ)現(xiàn)有技術(shù)的不足,本發(fā)明提出了一種晶圓濕法刻蝕系統(tǒng),本發(fā)明主要用于對晶圓進(jìn)行刻蝕,能夠提高刻蝕液的使用效率,能夠?qū)A進(jìn)行批量化刻蝕;本發(fā)明通過一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和三號反應(yīng)槽配合來對晶圓進(jìn)行分級刻蝕;通過移動模塊、抓取模塊和儲料筒配合來對晶圓進(jìn)行批量化刻蝕;提高了晶圓的刻蝕效率。
本發(fā)明解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是:本發(fā)明提出了一種晶圓濕法刻蝕系統(tǒng),包括反應(yīng)倉,反應(yīng)倉中設(shè)有進(jìn)料門和出料門;其中,反應(yīng)倉不是本發(fā)明的創(chuàng)新之處,在此不作贅述。還包括移動模塊、抓取模塊、一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽、三號反應(yīng)槽和儲料筒,所述反應(yīng)倉內(nèi)壁底表面固定安裝有一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和三號反應(yīng)槽;所述移動模塊固定安裝在反應(yīng)倉內(nèi)壁的側(cè)表面頂部;所述抓取模塊安裝在移動模塊上,所述儲料筒用于存放晶圓;抓取模塊用于對儲料筒進(jìn)行抓取;工作時,儲料筒從進(jìn)料門輸送至反應(yīng)倉中;移動模塊通過與抓取模塊配合將儲料筒中的晶圓,依次放入三號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和一號反應(yīng)槽中刻蝕;最后儲料筒中的晶圓通過出料門被取出;
所述一號反應(yīng)槽通過一號電磁閥與二號反應(yīng)槽連接;所述二號反應(yīng)槽通過二號電磁閥與三號反應(yīng)槽連接;所述三號反應(yīng)槽的內(nèi)壁上設(shè)有三號噴頭、其用于將二號反應(yīng)槽中的刻蝕液噴射到三號反應(yīng)槽中的儲料筒上;所述二號反應(yīng)槽的內(nèi)壁上設(shè)有二號噴頭、其用于將一號反應(yīng)槽中的刻蝕液噴射到二號反應(yīng)槽中的儲料筒上;二號噴頭和三號噴頭用于對晶圓表面殘留的雜質(zhì)進(jìn)行清理,同時,提高了刻蝕液的利用率;工作時,一號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和三號反應(yīng)槽均裝有相同純度的刻蝕液,儲料筒依次在三號反應(yīng)槽、二號反應(yīng)槽和一號反應(yīng)槽中進(jìn)行超聲波刻蝕,其用于將晶圓表面的氣泡和雜質(zhì)抖除;當(dāng)移動模塊和抓取模塊配合將儲料筒提起的過程中;二號噴頭和三號噴頭分別對儲料筒進(jìn)行噴淋,用于對晶圓表面的雜質(zhì)進(jìn)行清理。
所述儲料筒包括三號筒體,一號支撐架,夾持板和儲料板;所述夾持板通過一號支撐架固定安裝在三號筒體的頂表面,夾持板形狀為圓環(huán)形,夾持板用于配合抓取模塊使用;所述儲料板設(shè)于三號筒體的內(nèi)壁上,儲料板能夠從三號筒體內(nèi)壁上拆卸;儲料板用于存放晶圓;所述三號筒體的表面設(shè)有三號開口;三號開口用于將刻蝕液輸送至儲料板上;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





