[發明專利]金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法、顯示器

有效

• 申請號: 201810491260.1
• 申請日: 2018-05-21
• 公開（公告）號: CN108711548B
• 公開（公告）日: 2020-04-10
• 發明（設計）人: 林欽遵;黃貴華
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/027
• 分類號: H01L21/027;H01L21/34;H01L29/786
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;武岑飛

本發明公開了一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法。所述制作方法包括以下步驟：在基板上形成層疊的遮光層、金屬氧化物半導體層、柵極以及第一光阻圖案層；在所述金屬氧化物半導體層和所述第一光阻圖案層上形成第二光阻層；對所述第二光阻層和所述第一光阻圖案層進行灰化處理，并將灰化后的所述第二光阻層和所述第一光阻圖案層剝離；在所述金屬氧化物半導體層和所述柵極上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成穿過所述第一絕緣層以分別于所述金屬氧化物半導體層接觸的源極和漏極。本發明通過在半導體化處理后硬化的第一光阻圖案層上再次沉積第二光阻層，使得第二光阻層和第一光阻圖案層構成流平的光阻層，二者在灰化處理后能夠易于被剝離。

技術領域

本發明屬于薄膜晶體管制作技術領域，具體地講，涉及一種金屬氧化物薄膜晶體管及其制作方法、顯示器。

背景技術

目前，在現有的顯示器(諸如液晶顯示器或者OLED顯示器)中，通常利用薄膜晶體管(TFT)來作為控制開關，其中，薄膜晶體管通常都采用非晶硅(a-Si)薄膜晶體管。

然而，非晶硅(a-Si)薄膜晶體管的電子遷移率較低。與非晶硅薄膜晶體管相比，金屬氧化物薄膜晶體管的遷移率較高，且可應用于透明顯示技術，故具有較高的研究開發價值。在頂柵型的金屬氧化物薄膜晶體管進行金屬氧化物導體化過程中，會將上面的光阻硬化，從而導致后續制程中的光阻剝離出現困難。

發明內容

為了解決上述現有技術的問題，本發明的目的在于提供一種易于剝離光阻的金屬氧化物半導體薄膜晶體管及其制作方法、顯示器。

根據本發明的一方面，提供了一種金屬氧化物薄膜晶體管的制作方法，所述制作方法包括以下步驟：在基板上形成層疊的遮光層、金屬氧化物半導體層、柵極以及第一光阻圖案層；在所述金屬氧化物半導體層和所述第一光阻圖案層上形成第二光阻層；對所述第二光阻層和所述第一光阻圖案層進行灰化處理，并將灰化后的所述第二光阻層和所述第一光阻圖案層剝離；在所述金屬氧化物半導體層和所述柵極上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成穿過所述第一絕緣層以分別于所述金屬氧化物半導體層接觸的源極和漏極。

進一步地，所述在基板上形成層疊的遮光層、金屬氧化物半導體層、柵極以及第一光阻層的方法包括以下步驟：在所述基板上形成遮光層；在所述基板和所述遮光層上形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層上形成層疊的金屬氧化物半導體層、柵極絕緣層、柵極和第一光阻圖案層。

進一步地，所述在所述第二絕緣層上形成層疊的金屬氧化物半導體層、柵極絕緣層、柵極和第一光阻圖案層的方法包括以下步驟：在所述第二絕緣層上形成金屬氧化物層；在所述第二絕緣層和所述金屬氧化物層上形成第三絕緣層；在所述第三絕緣層上形成層疊的第一金屬層和第一光阻層；對所述第一光阻層、第一金屬層和所述第三絕緣層進行圖案化處理，以形成柵極絕緣層、柵極和第一光阻圖案層；對所述金屬氧化物層進行導體化，以形成所述金屬氧化物半導體層。

進一步地，所述柵極絕緣層包括：分別位于所述金屬氧化物層兩側的第一絕緣部和第二絕緣部，以及位于所述金屬氧化物層上的第三絕緣部；所述柵極位于所述第三絕緣部上；所述第一光阻圖案層包括位于所述第一絕緣部上的第一光阻部、位于所述第二絕緣部上的第二光阻部以及位于所述柵極上的第三光阻部。

進一步地，所述第三絕緣部、所述柵極和所述第三光阻部分別在所述金屬氧化物層上的投影均位于所述金屬氧化物層以內。

進一步地，所述在所述基板上形成遮光層的方法包括以下步驟：在所述基板上形成第二金屬層；對所述第二金屬層進行圖案化處理，以形成所述遮光層。

進一步地，所述第二光阻層位于所述第一光阻部、所述第二光阻部、所述第三光阻部、所述金屬氧化物半導體層和所述第二絕緣層上。