[發(fā)明專利]非晶硅TFT基板的制作方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201810488941.2
• 申請(qǐng)日: 2018-05-21
• 公開（公告）號(hào): CN108735664A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 劉廣輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 武漢華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/77
• 分類號(hào): H01L21/77;H01L21/336
• 代理公司: 深圳市德力知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所 44265
• 代理人: 林才桂;程曉

1.一種非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步驟：

步驟S1、提供一襯底基板(10)，在所述襯底基板(10)上依次沉積形成非晶硅層(20)、N型摻雜非晶硅層(30)、第一透明導(dǎo)電層(40)及源漏極金屬層(50)；

步驟S2、在所述源漏極金屬層(50)上涂布光阻材料并進(jìn)行第一道光罩制程，形成第一光阻層(90)，所述第一光阻層(90)具有厚度依次增加的第一光阻圖案(91)、第二光阻圖案(92)及第三光阻圖案(93)；

步驟S3、以所述第一光阻層(90)為遮蔽層進(jìn)行第一次蝕刻制程，去除所述非晶硅層(20)、N型摻雜非晶硅層(30)、第一透明導(dǎo)電層(40)及源漏極金屬層(50)上未被第一光阻層(90)覆蓋的部分，對(duì)應(yīng)于所述第一光阻圖案(91)和第二光阻圖案(92)下方由非晶硅層(20)得到的非晶硅有源層(21)，對(duì)應(yīng)于所述第三光阻圖案(93)下方由第一透明導(dǎo)電層(40)得到的像素電極(41)；

步驟S4、對(duì)所述第一光阻層(90)進(jìn)行第一次灰化處理，薄化第二光阻圖案(92)及第三光阻圖案(93)并去除第一光阻圖案(91)；

步驟S5、以所述第一光阻層(90)為遮蔽層進(jìn)行第二次蝕刻制程，去除N型摻雜非晶硅層(30)、第一透明導(dǎo)電層(40)及源漏極金屬層(50)上未被第一光阻層(90)覆蓋的部分，對(duì)應(yīng)于所述第二光阻圖案(92)下方由源漏極金屬層(50)得到對(duì)應(yīng)位于非晶硅有源層(21)兩端上方的源極(51)和漏極(52)，由N型摻雜非晶硅層(30)得到對(duì)應(yīng)于源極(51)和漏極(52)下方的源漏極接觸區(qū)(31)；

步驟S6、對(duì)所述第一光阻層(90)進(jìn)行第二次灰化處理，薄化第三光阻圖案(93)并去除第二光阻圖案(92)；

步驟S7、以所述第一光阻層(90)為遮蔽層進(jìn)行第三次蝕刻制程，去除對(duì)應(yīng)于所述像素電極(41)上方的源漏極金屬層(50)而露出像素電極(41)；剝離去除剩余的第一光阻層(90)；

步驟S8、在襯底基板(10)上沉積形成覆蓋非晶硅有源層(21)、源極(51)、漏極(52)及像素電極(41)的鈍化層(60)，通過第二道光罩制程在所述鈍化層(60)上形成分別對(duì)應(yīng)于漏極(52)和像素電極(41)上方的第一過孔(61)和第二過孔(62)；

步驟S9、在所述鈍化層(60)上依次沉積形成第二透明導(dǎo)電層(70)及柵極金屬層(80)；在所述源漏極金屬層(50)上涂布光阻材料并進(jìn)行第三道光罩制程，形成第二光阻層(95)，所述第二光阻層(95)具有厚度依次增加的第四光阻圖案(96)及第五光阻圖案(97)；

步驟S10、以所述第二光阻層(95)為遮蔽層進(jìn)行第一次蝕刻制程，去除所述第二透明導(dǎo)電層(70)及柵極金屬層(80)上未被第二光阻層(95)覆蓋的部分，對(duì)應(yīng)于所述第四光阻圖案(96)下方由柵極金屬層(80)得到對(duì)應(yīng)位于所述非晶硅有源層(21)上方的柵極(81)與所述柵極(81)相間隔的金屬公共電極線(82)，對(duì)應(yīng)于所述五光阻圖案(97)下方由第二透明導(dǎo)電層(70)得到的導(dǎo)電連接塊(71)及與導(dǎo)電連接塊(71)相間隔的透明公共電極線(72)，其中導(dǎo)電連接塊(71)分別通過第一過孔(61)和第二過孔(62)與漏極(52)和像素電極(41)相接觸，進(jìn)而將漏極(52)和像素電極(41)電導(dǎo)通；

步驟S11、對(duì)所述第二光阻層(95)進(jìn)行第一次灰化處理，薄化五光阻圖案(97)并去除第四光阻圖案(96)；

步驟S12、以所述第二光阻層(95)為遮蔽層進(jìn)行第二次蝕刻制程，去除對(duì)應(yīng)于所述導(dǎo)電連接塊(71)和透明公共電極線(72)上方的柵極金屬層(80)；剝離去除剩余的第二光阻層(95)。

2.如權(quán)利要求1所述的非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S2中通過灰階光罩進(jìn)行第一道光罩制程。

3.如權(quán)利要求1所述的非晶硅TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步驟S9中通過灰階光罩或半色調(diào)進(jìn)行第三道光罩制程。