[發明專利]半導體裝置

在審

• 申請號: 201810488311.5
• 申請日: 2018-05-21
• 公開（公告）號: CN110299343A
• 公開（公告）日: 2019-10-01
• 發明（設計）人: 楊政龍;蘇智宏;陳承先;黃宏麟;蔡昆銘;林瑋哲
• 申請（專利權）人: 臺灣積體電路制造股份有限公司
• 主分類號: H01L23/522
• 分類號: H01L23/522;H01L21/768
• 代理公司: 南京正聯知識產權代理有限公司 32243
• 代理人: 顧伯興

本發明實施例公開半導體裝置及其形成方法。所述半導體裝置中的一種包括第一導電層、有機層、硅層、磁性層、及第二導電層。所述有機層設置在所述第一導電層之上并暴露出所述第一導電層的一部分。所述硅層設置在所述有機層上并接觸所述有機層。所述磁性層設置在所述第一導電層之上。所述第二導電層設置在所述有機層及所述磁性層之上以電連接所述第一導電層。

技術領域

本發明實施例涉及一種半導體裝置。

背景技術

半導體裝置用于例如個人計算機、移動電話、數字照相機、及其他電子設備等各種電子應用中。半導體裝置通常是通過以下步驟來制作：在半導體襯底之上依序沉積絕緣層或介電層、導電層及半導體層，并使用光刻將各種材料層圖案化以在所述半導體襯底上形成電路組件及元件。

通常，電感器是可將能量存儲在由從中穿過的電流形成的磁場中的無源電組件。電感器可用于各種各樣的應用中。然而，存在許多與包括電感器的半導體裝置相關的挑戰。

發明內容

根據本發明的實施例，一種半導體裝置包括第一導電層、有機層、硅層、磁性層、及第二導電層。所述有機層設置在所述第一導電層之上并暴露出所述第一導電層的一部分。所述硅層設置在所述有機層上并接觸所述有機層。所述磁性層設置在所述第一導電層之上。所述第二導電層設置在所述有機層及所述磁性層之上以電連接所述第一導電層。

附圖說明

結合附圖閱讀以下詳細說明，會最佳地理解本發明的各方面。應注意，根據業內標準慣例，各種特征并非按比例繪制。事實上，為使論述清晰起見，可任意增大或減小各種特征的關鍵尺寸。

圖1是示出根據本發明一些實施例形成半導體裝置的方法的流程圖。

圖2A至圖2E是根據一些實施例形成半導體裝置的方法的示意性剖視圖。

圖3是根據一些實施例的半導體裝置的示意圖剖視圖。

圖4是根據一些實施例的半導體裝置的示意圖剖視圖。

具體實施方式

以下公開內容提供用于實作所提供標的物的不同特征的許多不同的實施例或實例。以下闡述組件及構造的具體實例以簡化本發明。當然，這些僅為實例且不旨在進行限制。例如，以下說明中將第二特征形成在第一特征之上或第一特征上可包括其中第二特征與第一特征被形成為直接接觸的實施例，且也可包括其中第二特征與第一特征之間可形成有額外特征、從而使得所述第二特征與所述第一特征可能不直接接觸的實施例。另外，本發明可能在各種實例中重復使用參考編號及/或字母。這種重復使用是出于簡潔及清晰的目的，而不是自身表示所論述的各種實施例及/或配置之間的關系。

此外，為易于說明，本文中可能使用例如“在...下方(beneath)”、“在...下面(below)”、“下部的(lower)”、“在...上(on)”、“在...之上(over)”、“上覆(overlying)”、“上方(above)”、“上部的(upper)”等空間相對性用語來闡述圖中所示出的一個元件或特征與另一(些)元件或特征的關系。所述空間相對性用語旨在除圖中所繪示的取向外還囊括裝置在使用或操作中的不同取向。設備可具有其他取向(旋轉90度或其他取向)，且本文中所用的空間相對性描述語可同樣相應地進行解釋。

本發明也可包括其他特征及工藝。舉例來說，可包括測試結構，以幫助對三維(3D)封裝或三維集成電路(3DIC)裝置進行驗證測試。測試結構可例如包括在重布線層中或襯底上形成并容許對三維封裝或三維集成電路進行測試的測試墊、使用探針及/或探針卡等。可對中間結構以及最終結構執行驗證測試。另外，本文中所公開的結構及方法可與包括對已知良好管芯進行中間驗證的測試方法一起使用，以提高良率并降低成本。

圖1是示出根據本發明一些實施例形成半導體裝置的方法的流程圖。圖2A至圖2E是根據一些實施例形成半導體裝置的方法的示意性剖視圖。