[發(fā)明專利]基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q裝置和方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201810487958.6 | 申請(qǐng)日: | 2018-05-18 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN108390249B | 公開(kāi)(公告)日: | 2023-07-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 吳俊芳;李潮;王博 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 華南理工大學(xué) |
| 主分類號(hào): | H01S3/115 | 分類號(hào): | H01S3/115 |
| 代理公司: | 廣州市華學(xué)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 44245 | 代理人: | 陳文姬 |
| 地址: | 510640 廣*** | 國(guó)省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 基于 光子 晶體 動(dòng)態(tài) 裝置 方法 | ||
本發(fā)明公開(kāi)了基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q裝置,包括波長(zhǎng)可調(diào)諧脈沖激光器、p?i?n結(jié)電光調(diào)制器以及光子晶體微腔?波導(dǎo)結(jié)構(gòu);所述光子晶體微腔?波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由前側(cè)光子晶體波導(dǎo)、多模光子晶體微腔、后側(cè)光子晶體波導(dǎo)組成;所述前側(cè)光子晶體波導(dǎo)位于多模光子晶體微腔的左側(cè),后側(cè)光子晶體波導(dǎo)位于多模光子晶體微腔的右側(cè)。本發(fā)明還公開(kāi)了基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q方法。本發(fā)明結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)和集成,可以通過(guò)對(duì)多模光子晶體微腔的形狀、結(jié)構(gòu)和尺寸的精細(xì)設(shè)計(jì)來(lái)自由操控低Q值腔模和超高Q值腔模的諧振頻率和Q值大小,使多模光子晶體微腔具有較大的動(dòng)態(tài)調(diào)Q范圍及較大的工作帶寬。
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光子晶體微腔,特別涉及基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q裝置和方法。
背景技術(shù)
高Q值微腔由于能把光長(zhǎng)時(shí)間地局域在亞波長(zhǎng)量級(jí)的微小空間內(nèi),使得腔內(nèi)光與物質(zhì)相互作用大大增強(qiáng),因而在全光開(kāi)關(guān)、光二極管、全光波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。近年來(lái),隨著微納光子技術(shù)的飛速發(fā)展,品質(zhì)因子超過(guò)105的超高Q值微腔已經(jīng)實(shí)現(xiàn)。然而,高Q值微腔面臨著一個(gè)基本的困難:一方面,微腔的Q值越高,則光子在微腔中的存儲(chǔ)壽命越長(zhǎng);但另一方面,由于高Q值微腔對(duì)應(yīng)的腔模線寬很窄,因此允許耦合入微腔的脈沖信號(hào)光的帶寬也必然很窄,并導(dǎo)致信號(hào)光進(jìn)入和離開(kāi)高Q值微腔的速度極慢(與Q值成反比),這顯然對(duì)高速、寬帶光信號(hào)處理的要求是不利的。
解決上述問(wèn)題的關(guān)鍵,便是動(dòng)態(tài)調(diào)Q:首先,將微腔調(diào)至較低Q值狀態(tài),以便讓具有較大帶寬的脈沖信號(hào)光從波導(dǎo)快速耦合進(jìn)微腔,此時(shí)微腔處于“開(kāi)態(tài)”;接著,待脈沖信號(hào)光完全進(jìn)入微腔后,迅速將微腔調(diào)至超高Q值,讓“俘獲”的信號(hào)光很難從微腔溢出,此時(shí)微腔處于“閉態(tài)”,使光能較長(zhǎng)時(shí)間地局域在腔內(nèi),從而獲得顯著的光延遲,增強(qiáng)光與物質(zhì)的相互作用;當(dāng)需要釋放時(shí),再次將微腔調(diào)至低Q狀態(tài),存儲(chǔ)的信號(hào)光便能迅速?gòu)奈⑶获詈先氤錾洳▽?dǎo)。這樣便能顯著增大延遲-帶寬乘積,突破它們之間矛盾關(guān)系的限制。然而,對(duì)微腔實(shí)現(xiàn)大幅度的動(dòng)態(tài)調(diào)Q具有相當(dāng)?shù)碾y度,目前的實(shí)現(xiàn)途徑很少,主要是通過(guò)在光子晶體波導(dǎo)一側(cè)引入反射鏡、并借助精確的超快相位調(diào)制控制入射光與反射光干涉相消或相長(zhǎng)、使微腔在“閉態(tài)”和“開(kāi)態(tài)”之間切換,或者是通過(guò)對(duì)多個(gè)耦合微腔的諧振波長(zhǎng)同時(shí)進(jìn)行絕熱波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換產(chǎn)生類似電磁感應(yīng)透明效應(yīng)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。這些動(dòng)態(tài)調(diào)Q的方式,不論是基于相位調(diào)制的干涉效應(yīng),還是基于多微腔諧振頻率調(diào)制的類電磁感應(yīng)透明效應(yīng),所涉及的技術(shù)都十分復(fù)雜,對(duì)實(shí)驗(yàn)條件要求很苛刻,其應(yīng)用也因此受到局限。因此,探討一種更為簡(jiǎn)單有效的動(dòng)態(tài)調(diào)Q方法、在單個(gè)微腔中實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)調(diào)Q是十分重要和關(guān)鍵的。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服現(xiàn)有技術(shù)的上述缺點(diǎn)與不足,本發(fā)明的目的在于提供一種基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q裝置,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,易于實(shí)現(xiàn)和集成。
本發(fā)明的另一目的在于提供一種基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q方法,具有較大帶寬的信號(hào)光既能快速地耦合入微腔,又能長(zhǎng)時(shí)間地局域在微腔內(nèi),并在需要的時(shí)候快速釋放。
本發(fā)明的目的通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn):
基于光子晶體微腔的動(dòng)態(tài)調(diào)Q裝置,包括波長(zhǎng)可調(diào)諧脈沖激光器、p-i-n結(jié)電光調(diào)制器以及光子晶體微腔-波導(dǎo)結(jié)構(gòu);所述波長(zhǎng)可調(diào)諧脈沖激光器用于提供入射信號(hào)光;所述p-i-n結(jié)電光調(diào)制器用于對(duì)光子晶體微腔折射率進(jìn)行動(dòng)態(tài)調(diào)制;
所述光子晶體微腔-波導(dǎo)結(jié)構(gòu)由前側(cè)光子晶體波導(dǎo)、多模光子晶體微腔、后側(cè)光子晶體波導(dǎo)組成;所述前側(cè)光子晶體波導(dǎo)位于多模光子晶體微腔的左側(cè),后側(cè)光子晶體波導(dǎo)位于多模光子晶體微腔的右側(cè);
所述光子晶體由圓形空氣孔在硅材料平板中構(gòu)成三角晶格;所述空氣孔的直徑為0.4a,其中a為光子晶體的晶格常數(shù);所述硅材料平板的厚度為0.5a;
所述多模光子晶體微腔由在光子晶體芯片中央沿水平方向移去6至14個(gè)空氣孔而形成,包含1個(gè)低Q值腔模和1個(gè)超高Q值腔模,所述低Q值腔模的Q值小于15000;所述超高Q值腔模Q值大于100000;所述較低Q值腔模的諧振頻率與入射脈沖信號(hào)光的中心頻率相同;
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H01S 利用受激發(fā)射的器件
H01S3-00 激光器,即利用受激發(fā)射對(duì)紅外光、可見(jiàn)光或紫外線進(jìn)行產(chǎn)生、放大、調(diào)制、解調(diào)或變頻的器件
H01S3-02 .結(jié)構(gòu)零部件
H01S3-05 .光學(xué)諧振器的結(jié)構(gòu)或形狀;包括激活介質(zhì)的調(diào)節(jié);激活介質(zhì)的形狀
H01S3-09 .激勵(lì)的方法或裝置,例如泵激勵(lì)
H01S3-098 .模式鎖定;模式抑制
H01S3-10 .控制輻射的強(qiáng)度、頻率、相位、極化或方向,例如開(kāi)關(guān)、選通、調(diào)制或解調(diào)
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