[發(fā)明專利]一種降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810485315.8 | 申請日: | 2018-05-21 |
| 公開(公告)號: | CN110518797A | 公開(公告)日: | 2019-11-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 鄭文祺;邵沖 | 申請(專利權(quán))人: | 上海儲瑞能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M3/158 | 分類號: | H02M3/158;H02M1/14 |
| 代理公司: | 31297 上海宏京知識產(chǎn)權(quán)代理事務所(普通合伙) | 代理人: | 鄧文武<國際申請>=<國際公布>=<進入 |
| 地址: | 200437 上海市虹口*** | 國省代碼: | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 降壓電路 升壓 半導體開關(guān)元件 二極管 單通道 串聯(lián) 電感 降壓控制 升壓電路 升壓控制 電容 并聯(lián) 輸出 紋波 并聯(lián)連接 調(diào)制電路 降低紋波 降壓功能 交錯并聯(lián) 寬電壓 減小 電路 | ||
1.一種降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路,其特征是包括多個單通道升壓/降壓電路,所述多個單通道升壓/降壓電路形成并聯(lián)連接,所述單通道升壓/降壓電路包括降壓控制半導體開關(guān)元件T、升壓控制半導體開關(guān)元件T、電感L、降壓電路二極管D、升壓電路二極管D、電容C,所述電容C與所述升壓電路二極管D串聯(lián)形成支線A,所述支線A與所述升壓控制半導體開關(guān)元件T并聯(lián)形成支線B,所述支線B與所述電感L串聯(lián)形成支線C,所述支線C與所述降壓電路二極管D并聯(lián)形成支線D,所述支線D與所述降壓控制半導體開關(guān)元件T串聯(lián)形成所述單通道升壓/降壓電路。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路,其特征在于,所述降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路包括形成并聯(lián)的單通道升壓/降壓電路A、單通道升壓/降壓電路B;
所述單通道升壓/降壓電路A包括降壓控制半導體開關(guān)元件T1、升壓控制半導體開關(guān)元件T3、電感L1、降壓電路二極管D3、升壓電路二極管D1、電容C,所述電容C與所述升壓電路二極管D1串聯(lián)形成支線A1,所述支線A1與所述升壓控制半導體開關(guān)元件T3并聯(lián)形成支線B1,所述支線B1與所述電感L1串聯(lián)形成支線C1,所述支線C1與所述降壓電路二極管D3并聯(lián)形成支線D1,所述支線D1與所述降壓控制半導體開關(guān)元件T1串聯(lián)形成所述單通道升壓/降壓電路A;
所述單通道升壓/降壓電路B包括降壓控制半導體開關(guān)元件T2、升壓控制半導體開關(guān)元件T4、電感L2、降壓電路二極管D4、升壓電路二極管D2、電容C,所述電容C與所述升壓電路二極管D2串聯(lián)形成支線A2,所述支線A2與所述升壓控制半導體開關(guān)元件T4并聯(lián)形成支線B2,所述支線B2與所述電感L2串聯(lián)形成支線C2,所述支線C2與所述降壓電路二極管D4并聯(lián)形成支線D2,所述支線D2與所述降壓控制半導體開關(guān)元件T2串聯(lián)形成所述單通道升壓/降壓電路B。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路,其特征在于,所述降壓電路二極管D與一電阻并聯(lián),所述升壓電路二極管D與一電阻并聯(lián)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項所述的降低紋波輸出的雙向DC-DC寬電壓調(diào)制電路,其特征在于,所述降壓控制半導體開關(guān)元件T、升壓控制半導體開關(guān)元件T是三極管或MOS管。
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