[發(fā)明專利]微元件工藝及制作顯示器面板的方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201810483374.1 | 申請日： | 2018-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN110504338A | 公開（公告）日： | 2019-11-26 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 郭肯華;丁鴻泰 | 申請（專利權(quán)）人： | 睿明科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/00 | 分類號： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 11314 北京戈程知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 | 代理人： | 程偉;王錦陽<國際申請>=<國際公布>= |
| 地址： | 中國臺灣桃*** | 國省代碼： | 中國臺灣;TW |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 微晶片 微元件 陣列方式排列 半導(dǎo)體結(jié)構(gòu) 顯示器面板 切割基板 運作效率 再配置 基板 良率 移轉(zhuǎn) 制作 | ||
1.一種微元件工藝，至少包含下列步驟：
提供一基板；
切割該基板形成多個微晶片；
配置該些微晶片于一載體上，其中該些微晶片以陣列方式排列于該載體之上；以及
形成多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于該些微晶片上，形成多個微元件。
2.如權(quán)利要求1所述的微元件工藝，其中，形成該些半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)更包括形成一P型半導(dǎo)體層和一N型半導(dǎo)體層。
3.如權(quán)利要求1所述的微元件工藝，其中，該載體具有多個載孔，該多個載孔以陣列排列，該微晶片設(shè)置于該載孔。
4.如權(quán)利要求1所述的微元件工藝，其中，更包括將該些微元件移轉(zhuǎn)至一驅(qū)動板上，該驅(qū)動板驅(qū)動該些微元件發(fā)光。
5.如權(quán)利要求1所述的微元件工藝，其中，該些微元件可為發(fā)光二極管。
6.如權(quán)利要求1所述的微元件工藝，其中，該些微元件可為光感測器。
7.如權(quán)利要求1至6任一項所述的微元件工藝，其中，該些微晶片尺寸為3μm至100μm。
8.如權(quán)利要求1至6任一項所述的微元件工藝，其中，該些微晶片尺寸為100μm至800μm。
9.如權(quán)利要求1至6任一項所述的微元件工藝，其中，該些微晶片為雙面拋光。
10.如權(quán)利要求1至6任一項所述的微元件工藝，其中，該些微晶片為圓柱體。
11.一種顯示器面板制作方法，至少包含下列步驟：
提供一基板；
切割該基板形成多個微晶片；
配置該些微晶片于一載體上，其中該些微晶片以陣列方式排列于該載體之上；
形成多個半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)于該些微晶片上，形成多個微元件；以及
將該些微元件移轉(zhuǎn)至一驅(qū)動板上，該驅(qū)動板驅(qū)動該些微元件發(fā)光，形成顯示器面板。
12.如權(quán)利要求11所述的顯示器面板制作方法，其中，該些微晶片尺寸為3μm至100μm。
13.如權(quán)利要求11所述的顯示器面板制作方法，其中，該些微晶片尺寸為100μm至800μm。
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