[發明專利]無鉛雜化鈣碳礦材料電存儲器件及其制備方法在審
| 申請號： | 201810482334.5 | 申請日： | 2018-05-18 |
| 公開（公告）號： | CN108649118A | 公開（公告）日： | 2018-10-12 |
| 發明（設計）人： | 路建美;賀競輝;錢文虎 | 申請（專利權）人： | 蘇州大學 |
| 主分類號： | H01L45/00 | 分類號： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人： | 孫周強;陶海鋒 |
| 地址： | 215137 *** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 雜化 制備 電存儲器件 容器件 無鉛 高性能集成電路 存儲器件 電路模型 工業智能 混沌理論 基礎電路 記憶行為 器件性能 制備過程 電存儲 學科 拓展 應用 分析 成功 | ||
1.無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3在制備憶阻器件、憶容器件或者電存儲器件存儲材料中的應用。
2.根據權利要求1所述的應用，其特征在于，以溴化錫、甲胺氫溴酸鹽為原料，制備得到無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3；所述電存儲器件的結構為SiO2/ITO/MASnBr3/Au結構或者Au/MASnBr3/ITO/PET結構。
3.一種無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3的制備方法，包括以下步驟，氮氣下，取SnBr2與NH3CH2?HBr溶解在二甲基甲酰胺中，攪拌制備成5mol/L的前驅體溶液；再將前驅體溶液旋涂成膜，制備得到無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3基的薄膜。
4.根據權利要求3所述無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3的制備方法，其特征在于，SnBr2與NH3CH2?HBr的摩爾比為1:1；攪拌的速度為每分鐘600轉。
5.一種無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件，所述電存儲器件的結構為SiO2/ITO/MASnBr3/Au結構或者Au/MASnBr3/ITO/PET結構。
6.根據權利要求5所述無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件，其特征在于，以溴化錫、甲胺氫溴酸鹽為原料，制備得到無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3。
7.一種無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件的制備方法，包括以下步驟：
（1）取SnBr2與NH3CH2?HBr溶解在二甲基甲酰胺中，攪拌制備成前驅體溶液；
（2）在基底/ITO表面旋涂一層前驅體溶液，加熱得到MASnBr3薄膜；
（3）在MASnBr3薄膜上鍍金，得到電存儲器件；
所述電存儲器件包括憶阻器件、憶容器件。
8.根據權利要求7所述無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件的制備方法，其特征在于，所述加熱的溫度為70℃，時間為15分鐘；所述前驅體溶液中，溶質的濃度為5mol/L；所述旋涂的速度為每分鐘1500轉，時間為60秒；采用磁控濺射的方式鍍金；所述基底為SiO2或者PET。
9.一種無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件用基底存儲層的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）取SnBr2與NH3CH2?HBr溶解在二甲基甲酰胺中，攪拌制備成前驅體溶液；
（2）在基底/ITO表面旋涂一層前驅體溶液，加熱得到MASnBr3薄膜；從而得到無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件用基底存儲層。
10.一種無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件用存儲膜，其特征在于，所述無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件用存儲膜的制備方法包括以下步驟，氮氣下，取SnBr2與NH3CH2?HBr溶解在二甲基甲酰胺中，攪拌制備成前驅體溶液；再將前驅體溶液旋涂成膜，加熱制備得到無鉛雜化鈣碳礦MASnBr3電存儲器件用存儲膜。
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