[發明專利]光阻烘烤方法和在半導體基底上形成光阻層的方法

在審

• 申請號: 201810478963.0
• 申請日: 2018-05-18
• 公開（公告）號: CN108732876A
• 公開（公告）日: 2018-11-02
• 發明（設計）人: 魏振東;李俊賢;吳奇隆;劉英策
• 申請（專利權）人: 廈門乾照光電股份有限公司
• 主分類號: G03F7/38
• 分類號: G03F7/38;H01L21/027
• 代理公司: 寧波理文知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 33244
• 代理人: 李高峰;孟湘明

1.一光阻烘烤方法，其特征在于，所述光阻烘烤方法包括如下步驟：

(a)以一半導體基底的下部產生熱量的方式烘烤被施涂于一半導體基底的一光阻材料層；和

(b)以在所述光阻材料層的周圍環境產生熱量的方式烘烤所述光阻材料層。

2.根據權利要求1所述的光阻烘烤方法，其中所述步驟(a)進一步包括步驟：

(a.1)以所述半導體基底的下表面貼合一加熱板的方式放置被施涂有所述光阻材料層的所述半導體基底于所述加熱板；和

(a.2)升高所述加熱板的溫度，以使所述加熱板產生的熱量經所述半導體基底自下而上地在所述光阻材料層傳導。

3.根據權利要求2所述的光阻烘烤方法，其中所述加熱板的加熱溫度范圍為30℃-300℃，烘烤時間范圍為5秒-200秒。

4.根據權利要求1至3中任一所述的光阻烘烤方法，其中所述步驟(b)進一步包括步驟：

(b.1)將被施涂有所述光阻材料層的所述半導體基底放置于一烘烤環境；和

(b.2)升高所述烘烤環境的溫度，以使熱量自外而內地在所述光阻材料層傳導。

5.根據權利要求4所述的光阻烘烤方法，其中所述烘烤環境的烘烤溫度范圍為60℃-300℃，烘烤時間范圍為60秒-1800秒。

6.根據權利要求1至5中任一所述的光阻烘烤方法，其中所述光阻材料層的厚度大于或者等于4μm。

7.一在半導體基底上形成光阻層的方法，其特征在于，所述光阻層形成方法包括如下步驟：

(A)在一半導體基底上施涂一光阻材料層；

(B)使熱量自下而上地在所述光阻材料層傳導；以及

(C)使熱量自外而內地在所述光阻材料層傳導，以使所述光阻材料層內的溶劑揮發而藉由所述光阻材料層形成層疊于所述半導體基底的一光阻層。

8.根據權利要求7所述的光阻層形成方法，進一步包括步驟：

(D)通過曝光的方式轉移一掩膜版的圖形于所述光阻層；和

(E)使所述光阻層的被曝光的區域被一顯影液溶解而在所述光阻層形成至少一光刻圖形。

9.根據權利要求7或8所述的光阻層形成方法，其中在所述步驟(A)中，以旋涂的方式在所述半導體基底的上表面施涂所述光阻材料層。

10.根據權利要求7或8所述的光阻層形成方法，其中在所述步驟(B)中，將所述半導體基底放置于一加熱板，從而所述加熱板產生的熱量在經所述半導體基板傳導至所述光阻材料層后，熱量自下而上地在所述光阻材料層傳導。

11.根據權利要求10所述的光阻層形成方法，其中所述加熱板的加熱溫度范圍為30℃-300℃，烘烤時間范圍為5秒-200秒。

12.根據權利要求7或8所述的光阻層形成方法，其中在所述步驟(C)中，將所述半導體基底放置于一烘烤環境，從而所述烘烤環境的熱量能夠自外而內地在所述半導體基板傳導。

13.根據權利要求10所述的光阻層形成方法，其中在所述步驟(C)中，將所述半導體基底放置于一烘烤環境，從而所述烘烤環境的熱量能夠自外而內地在所述半導體基板傳導。

14.根據權利要求13所述的光阻層形成方法，其中所述烘烤環境的烘烤溫度范圍為60℃-300℃，烘烤時間范圍為60秒-1800秒。

15.根據權利要求7至14中任一所述的光阻層形成方法，其中所述光阻材料層的厚度大于或者等于4μm。